[发明专利]半导体激光器的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体激光器的制造方法。

背景技术

在半导体激光器的制造工艺中，用划线标记对晶片进行标记，通过施加适当的力将晶片劈开分割成多个条。但是，对于由GaN构成的晶片，因为GaN具有高的稳定性，所以难以利用劈开进行加工。

针对这个问题，专利文献1中记载了形成劈开辅助区域层，并沿着该层的切痕进行劈开的方法。另外，在专利文献2中记载了，以二者的中心轴一致并且以连续的状态形成从晶片的端部到中央部延伸的主导槽和比主导槽宽度窄的副导槽，并在这些槽的延伸方向上劈开晶片的方法。

[专利文献1]特开平10-242570号公报

[专利文献2]特开2002-64237号公报

发明内容

[发明要解决的问题]

但是，在专利文献1的方法中，为了形成劈开辅助区域层，需要使半导体层的规定区域再生长的工序。另外，因为GaN的结晶结构是六方晶系，所以在与要劈开的方向成60度角的方向上容易劈开。因此，如专利文献2所述，仅在端部设置导槽的方法难以高精度地在所期望的位置上进行劈开。

另一方面，对于GaN晶片，不仅在晶片的端部而且在半导体晶片单位上也设置划线标记。但是，设置划线标记的位置偏移，从而在相对的一个划线标记的延伸方向上没有另一个划线标记时，在进行劈开之后会在劈开面上产生台阶高差。该台阶高差容易形成在上述两个划线标记的中央附近，特别是容易形成在应力容易集中的半导体激光器的脊部中。因为在脊部中存在发光区域，所以形成了这样的台阶高差时恐怕半导体激光器的特性会降低。

图12是在形成了台阶高差情形下的脊部附近的剖面模式图。在脊部101中发现由于台阶高差而产生的条纹状的不合格部102。如该图所示，不合格部102位于射出光的传播部103中时，会对射出光的特性产生不好的影响。

本发明是鉴于这样的问题而完成的。即，本发明的目的是提供一种能够在期望的位置上劈开晶片的半导体激光器的制造方法。

另外，本发明的目的在于提供一种能够抑制由于劈开而产生台阶高差的半导体激光器的制造方法。

本发明的其它目的和优点从下面的记载中将显而易见。

[解决问题的手段]

本发明的第一方面是一种半导体激光器的制造方法，包括：

在GaN基板上形成设置了多个脊部的半导体层的工序、

从所述半导体层的侧面在所述GaN基板上隔着规定的间隔设置多个切痕(キズ)的工序、和

沿着所述切痕劈开所述GaN基板的工序，

其特征在于：

在所述劈开工序之前，在所述半导体层上在各个所述多个脊部和所述多个切痕之间设置与所述多个切痕在同一条直线上的至少一个槽。

本发明的第2方面是一种半导体激光器的制造方法，包括：

在GaN基板上形成设置了多个脊部的半导体层的工序、

从所述半导体层的侧面在所述GaN基板上隔着规定的间隔设置多个切痕的工序、和

沿着所述切痕劈开所述GaN基板的工序，

其特征在于：

在所述劈开工序之前，在所述半导体层上与所述多个切痕在同一条直线上设置第1槽和第2槽，

所述第1槽位于所述脊部和所述切痕之间，相对于所述切痕位于劈开方向的下流侧，

所述第2槽位于所述脊部和所述切痕之间，相对于所述脊部位于劈开方向的下流侧，

所述第1槽是劈开方向的下流侧端部向外侧凸出的形状，该形状的顶点位于要劈开的线上，同时从该顶点延伸的轮廓线不与与劈开方向成60度的方向平行，

所述第2槽在平面上看是四角形、三角形或圆，轮廓线不与与劈开方向成60度的方向平行。

本发明的第3方面是一种半导体激光器的制造方法，该半导体激光器在晶片上具有脊部、与该脊部高度相同的平台部、以及在该脊部和该平台部之间形成的比该脊部高度低的沟道部，

其特征在于：

该方法包括：

在该晶片上形成第一膜厚的p型覆层的工序、

在成为该沟道部的部分和比该平台部远离该脊部的劈开线上的规定部分上，对该p型覆层进行蚀刻成为第二膜厚的工序、

在该劈开线上比该规定部分远离该脊部的部分中形成作为切痕的划线标记的工序、和

从该划线标记的尖锐部分通过该规定部分，朝着该脊部的方向沿着该劈开线进行劈开的工序，

形成该划线标记以使该尖锐部的前端设置在该劈开线上并且与该规定部分接触。

[发明效果]