[发明专利]半导体装置的熔丝修整方法

权利要求书

1.一种半导体装置的熔丝修整方法，该半导体装置在半导体晶片上形成晶体管或电阻等电路元件，并具有能够利用激光微调对所述电阻元件的电阻值进行调整的熔丝元件，该方法的特征在于，

包括电阻校正步骤，在所述半导体晶片的特定区域，基于所述电阻元件的电阻值与目标值的偏差进行校正。

2.根据权利要求1的半导体装置的熔丝修整方法，其中，

所述电阻校正步骤包括如下步骤：

进行在第一半导体晶片上形成的半导体装置的第一电特性检查；

利用所述第一电特性检查数据，算出第一修整数据；

使用所述第一修整数据，进行在第一半导体晶片上形成的所述半导体装置的熔丝切割；

进行熔丝切割后的所述半导体装置的第二电特性检查；

根据所述第二电特性检查数据，算出相对精度；

将具有所述相对精度在允许范围内的半导体装置的区域作为第一区域，将具有所述相对精度在允许范围外的半导体装置的区域划分为第二区域，算出每个所述区域的平均相对精度；

根据每个所述区域的平均相对精度，算出每个区域的校正系数；

进行在第二半导体晶片上形成的半导体装置的第一电特性检查；

在形成于所述第二半导体晶片上的半导体装置的第一电特性检查数据中，附加每个所述区域的校正系数，算出第二修整数据；

使用所述第二修整数据，进行在所述第二半导体晶片上形成的半导体装置的熔丝切割。

3.根据权利要求2的半导体装置的熔丝修整方法，其中，

所述第一半导体晶片是结构批次的第一片，

所述第二半导体晶片是第二片以后的半导体晶片。

4.根据权利要求2的半导体装置的熔丝修整方法，其中，

所述第一半导体晶片是结构批次的最初的多片，

所述第二半导体晶片是与第一半导体晶片连续的半导体晶片。

5.根据权利要求2的半导体装置的熔丝调整方法，其中，

所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片是不同的结构批次。