[发明专利]半导体装置的熔丝修整方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法，特别涉及电阻体的修整(trimming)。

背景技术

一般地，在模拟IC中，为了调节电路的目标值，进行激光微调来实现电阻值一致。

图2示出表示现有技术的电阻组和熔丝元件的示意图。

在半导体晶片上二维地对集成电路进行构图后，在晶片状态下，在各IC中进行电特性的测定。根据该测定值，计算为了输出电路的目标值所需的电阻值，以该IC中的电阻组203生成能够构成该电阻值的修整切割数据。该电阻组203采取如下结构：以多晶硅膜形成熔丝元件201，以激光束照射等切断该熔丝元件201，由此，能够选择性地组合构成电阻组203的几个电阻体202。该电阻体202多以多晶硅形成。然后，基于修整切割数据，选择设置在布线的一部分上的熔丝元件201，照射激光束进行切断。利用这样的激光微调，能够将电阻组203调节为所希望的值。

专利文献  特开平5-13670号公报

发明内容

但是，即使进行所述的激光微调，如果各电阻体的相对精度偏离，则产生电阻组整体的电阻值和计算上的电阻值偏离这样的不良。该不良成为在实际批量生产IC时使成品率降低的因素。这样不良的原因如果在形成多晶硅电阻体时，则需要对先前步骤工艺进行重新评估。此外，如果存在于所构成的电路本身，则需要对电路进行校正，必须重新作制作IC之后的光掩膜，但是，当要以这些方法消除不良时，需要某种程度的时间和费用，在希望提前解决成品率的情况下不是很有效。此外，成本也高。

作为这样的不良之一，有晶片内的特定部位(区域)的相对精度降低并且每次在相同的部位产生相对精度的偏差的情况。图3示出作为特定部位的扇形区域情况的示例。虽然被推测为不良的原因在先前步骤工艺中，但是，尽管不能确定，也需要提前应对。本发明的课题是解决产生这样的不良的情况，并提供其解决方法。

为了解决所述课题，只使特定部位(区域)的相对精度具有系数，接近其他区域的相对精度，由此，消除晶片面内的相对精度的偏差。

(1)一种半导体装置的熔丝修整方法，该半导体装置在半导体晶片上形成晶体管或电阻等电路元件，并具有能够利用激光微调对所述电阻元件的电阻值进行调整的熔丝元件，该方法的特征在于包括电阻校正步骤，基于所述电阻元件的电阻值信息进行校正。

(2)一种半导体装置的熔丝修整方法，其特征在于，所述电阻校正步骤包括如下步骤：进行在第一半导体晶片上形成的半导体装置的第一电特性检查；利用所述第一电特性检查数据，算出修整数据；使用所述修整数据，进行在第一半导体晶片上形成的半导体装置的熔丝切割；进行熔丝切割后的半导体装置的第二电特性检查；根据所述第二电特性检查数据，算出相对精度；将所述相对精度接近的半导体装置作为相同的区域，将所述相对精度有很大不同的区域划分为其他区域，算出每个所述区域的平均相对精度；根据每个所述区域的平均相对精度，算出每个区域的校正系数；进行在第二半导体晶片上形成的半导体装置的第一电特性检查；在形成于所述第二半导体晶片上的半导体装置的第一电特性检查数据中，附加每个所述区域的校正系数，算出修整数据；附加每个所述区域的校正系数，使用修整数据，进行在所述第二半导体晶片上形成的半导体装置的熔丝切割。

(3)一种半导体装置的熔丝修整方法，其特征在于：所述第一半导体晶片是结构批次的第一片，所述第二半导体晶片是第二片以后的半导体晶片。

(4)一种半导体装置的熔丝修整方法，其特征在于：所述第一半导体晶片是结构批次的最初的多片，所述第二半导体晶片是与第一半导体晶片连续的半导体晶片。

(5)一种半导体装置的熔丝修整方法，其特征在于：所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片是不同的结构批次。

预先掌握发生相对精度的偏差的特定部位(区域)和偏差量，仅在特定部位使用利用该偏差量所算出的校正系数，进行相对精度的校正，由此，消除面内的相对精度的偏差，以期望提高成品率。此外，即使没有对先前步骤工艺或构成IC的电路进行校正、改善，也能提前并简单地消除面内的相对精度的偏差。

附图说明

图1是示出本发明第一实施例的流程图。

图2是示意性表示现有技术的电阻组和熔丝元件的图。

图3是用于说明特定部位(区域)的辅助图。

图4是用于说明第一实施例的特定部位(区域)的辅助图。

图5是示出本发明第二实施例的流程图。

具体实施方式

下面，对用于实施本发明的优选方式进行说明。