[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一主图样，形成在衬底上；以及

第一虚拟图样，在形成有所述第一主图样的层上以与所述第一主图样平行的方向形成。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二主图样，在与形成有所述第一主图样的层不同的层上以与所述第一主图样垂直的方向形成；以及

第二虚拟图样，形成在与所述第二主图样平行的方向上，并形成在与所述第二主图样相同的层上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括第三主图样，所述第三主图样将所述第一主图样电连接至所述第二主图样。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一主图样和所述第二主图样中的至少一个是金属图样。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一虚拟图样和所述第二虚拟图样中的至少一个是金属虚拟图样。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第三主图样是接触图样。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括第一层间介电层，所述第一层间介电层形成在包括所述第一主图样和所述第一虚拟图样的半导体衬底上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括第二层间介电层，所述第二层间介电层形成在包括所述第二主图样和所述第二虚拟图样的所述第一层间介电层上。

9.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一主图样；以及

然后在与形成有所述第一主图样的层相同的层上以与所述第一主图样平行的方向形成第一虚拟图样。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在与形成有所述第一主图样的层不同的层上以与所述第一主图样垂直的方向形成第二主图样；以及

在与形成有所述第二主图样的层相同的层上以与所述第二主图样平行的方向形成第二虚拟图样。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：形成将所述第一主图样电连接至所述第二主图样的第三主图样。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述第三主图样包括以下步骤：

在第一层间介电层中形成孔；

然后用金属层填充所述孔；以及

然后在所述金属层上执行平面化处理。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，使用光刻处理形成所述孔。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一主图样和所述第二主图样中的至少一个是金属图样。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一虚拟图样和所述第二虚拟图样中的至少一个是金属虚拟图样。

16.根据权利要求12所述的方法，还包括：在包括所述第一主图样和所述第一虚拟图样的所述衬底上形成所述第一层间介电层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第三主图样是接触图样。

18.根据权利要求10所述的方法，还包括：在包括所述第二主图样和所述第二虚拟图样的所述第一层间介电层上形成第二层间介电层。

19.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一主图样；

在与形成所述第一主图样的层相同的层上以与所述第一主图样平行的方向形成第一虚拟图样；

在包括所述第一主图样和所述第一虚拟图样的所述衬底上形成第一层间介电层；

形成延伸通过所述第一层间介电层的第三主图样，以将所述第一主图样电连接至所述第二主图样；

在与所述第一主图样垂直的方向上，在所述第一层间介电层上形成第二主图样；以及

在与所述第二主图样平行的方向上，在所述第一层间介电层上形成第二虚拟图样。

20.根据权利要求19所述的方法，还包括：在形成所述第二虚拟图样之后，在包括所述第二主图样和所述第二虚拟图样的所述衬底上形成第二层间介电层。