[发明专利]掩模的布局方法、半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810097074.6 | 申请日： | 2008-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101304026A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李相熙;曹甲焕 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/146;H01L23/00;H01L21/00;H01L21/82;G03F1/14 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 布局 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
在衬底上形成微透镜主图案；以及
在所述衬底上所述微透镜主图案的一侧形成微透镜虚设图案；
其中所述微透镜虚设图案包括八边形形状；
其中形成所述微透镜虚设图案包括：
在未形成所述微透镜主图案的所述区域中形成基底虚设图案；以及
从所述基底虚设图案去除边缘区域，以形成所述微透镜虚设图案；
其中从所述基底虚设图案去除所述边缘区域包括：
限定所述基底虚设图案的所述边缘区域；以及
利用软件布局工具从所述基底虚设图案去除所述边缘区域；
其中所述基底虚设图案为规则的正方形形状；
其中所述边缘区域具有等腰直角三角形形状。
2.如权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述微透镜主图案以及所述微透镜虚设图案之前，形成滤色镜虚设图案。
3.如权利要求1所述的方法，其中形成所述微透镜主图案与形成所述微透镜虚设图案是同时进行的。
4.如权利要求1所述的方法，其中形成所述微透镜主图案与形成所述微透镜虚设图案是在单独的步骤中分别进行的。
5.一种掩模的布局方法，包括：
在主芯片区域形成微透镜主图案；以及
在未形成所述微透镜主图案的区域形成微透镜虚设图案；
其中所述微透镜虚设图案包括八边形形状；
其中形成所述微透镜虚设图案包括：
在未形成所述微透镜主图案的所述区域中形成基底虚设图案；以及
从所述基底虚设图案去除边缘区域，以形成所述微透镜虚设图案；
其中从所述基底虚设图案去除所述边缘区域包括：
限定所述基底虚设图案的所述边缘区域；以及
利用软件布局工具从所述基底虚设图案去除所述边缘区域；
其中所述基底虚设图案为规则的正方形形状；
其中所述边缘区域具有等腰直角三角形形状。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述等腰直角三角形除了其斜边之外的侧边的长度与所述基底虚设图案的一个侧边的长度的1/3相对应。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810097074.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
