[发明专利]掩模的布局方法、半导体器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种掩模的布局方法、半导体器件及其制造方法。

背景技术

通常，半导体器件具有多层结构，其中该多层结构的每一层一般都是通过沉积工艺或溅射工艺形成的，然后通过平版印刷工艺(lithography process)图案化。

但是，由于形成在半导体器件的衬底上的图案的尺寸和密度不同，可能会产生各种问题。为了解决上述问题，正在研发连同主图案一起形成虚设图案(dummy pattern)的方法。

发明内容

本发明的实施例提供一种掩模的布局方法和使用根据题述掩模布局方法所形成的掩模的半导体器件及其制造方法。

掩模的布局方法的实施例提供微透镜虚设图案。

根据题述掩模的布局方法的实施例，可以确保图案均匀性。

根据本发明实施例的掩模的布局方法能够提高图案密度。

此外，根据本发明实施例的掩模布局方法能够简化设计和制造工艺。

根据实施例的半导体器件包括：微透镜主图案，位于衬底上；以及微透镜虚设图案，位于所述衬底上，邻近所述微透镜主图案的一侧，该微透镜虚设图案为多边形形状。

此外，根据实施例的半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成微透镜主图案；以及在所述衬底上所述微透镜主图案的一侧形成微透镜虚设图案，该微透镜虚设图案为八边形形状；其中形成所述微透镜虚设图案包括：在未形成所述微透镜主图案的所述区域中形成基底虚设图案；以及从所述基底虚设图案去除边缘区域，以形成所述微透镜虚设图案；其中从所述基底虚设图案去除所述边缘区域包括：限定所述基底虚设图案的所述边缘区域；以及利用软件布局工具从所述基底虚设图案去除所述边缘区域；其中所述基底虚设图案为规则的正方形形状；其中所述边缘区域具有等腰直角三角形形状。

更进一步，根据实施例的掩模的布局方法包括：在主芯片区域形成微透镜主图案；以及在未形成所述微透镜主图案的区域形成微透镜虚设图案，该微透镜虚设图案为八边形形状；其中形成所述微透镜虚设图案包括：在未形成所述微透镜主图案的所述区域中形成基底虚设图案；以及从所述基底虚设图案去除边缘区域，以形成所述微透镜虚设图案；其中从所述基底虚设图案去除所述边缘区域包括：限定所述基底虚设图案的所述边缘区域；以及利用软件布局工具从所述基底虚设图案去除所述边缘区域；其中所述基底虚设图案为规则的正方形形状；其中所述边缘区域具有等腰直角三角形形状。

附图说明

图1为根据实施例的半导体器件的平面图。

图2为根据实施例沿图1中的I-I′线所取的半导体器件的横截面视图。

图3A至图3C为用于描述根据实施例的掩模的布局方法的示意图。

具体实施方式

此后，将参考附图说明根据本发明实施例的掩模的布局方法、半导体器件及其制造方法。

在实施例的描述中，可以理解的是，当一层(或膜)被称为位于另一层或衬底“上”时，其可以直接位于另一层或衬底上，或者也可能存在中间层。此外，也可以理解，当一层被称为位于另一层“下”时，其可以直接位于另一层下，或者也可能存在一个或多个中间层。此外，可以理解的是，当一层被称为位于两层“之间”时，其可以为这两层之间唯一的层，或者也可能存在一个或多个中间层。

参见图1至图2，根据实施例的半导体器件可包括：微透镜主图案(未示出)，形成在半导体器件的衬底100上；以及微透镜虚设图案102，形成在该微透镜主图案的一侧。

根据实施例，微透镜虚设图案102设置在未形成有微透镜主图案的区域内，从而可以提高主图案区域与虚设图案区域之间的图案均匀性(patternuniformity)。

此外，根据实施例，微透镜虚设图案102可以形成为大体圆形形状。这种大体圆形形状可以用来改善主图案区域与虚设图案区域之间的图案均匀性。在一个实施例中，微透镜虚设图案102的大体圆形形状可以是八边形的结构。

虽然图中示出的微透镜虚设图案102具有八边形形状，但是其仅用于举例说明的目的。该微透镜虚设图案102可以形成为各种形状。

下面，将参考图1和图2描述根据实施例的半导体器件的制造方法。

可根据设计来设置具有各种结构(未示出)的衬底100，并可在衬底100上形成金属图案104。该金属图案104可以是最上面的金属图案，但是实施例不限制于此。

接下来，可以在具有金属图案104的衬底100上形成层间介电层105。该层间介电层105可以具有单层结构或多层结构。