[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法无效
申请号: | 200810097141.4 | 申请日: | 2008-05-19 |
公开(公告)号: | CN101308854A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 林智淑 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
1、一种薄膜晶体管阵列面板,包括:
基板,具有显示区域和设置在该显示区域周围的周边区域;
多个第一信号线,形成在该基板上;
多个第二信号线,与该第一信号线绝缘,形成在该基板上,并且通过横越该第一信号线来限定显示区域的面积;
驱动器,设置在该周边区域上;
多个连接线,设置在该周边区域上,将该驱动器耦接到每个该第一信号线;及
绝缘层,将该第一信号线与该连接线绝缘;其中:
该绝缘层包括多个接触孔,
部分该第一信号线和该连接线通过该接触孔连接,并且
通过该接触孔暴露的该第一信号线的暴露部分的尺寸随着从该接触孔到该驱动器的各自距离的增加而增加。
2、根据权利要求1的薄膜晶体管阵列面板,其中:
该第一信号线形成在与该连接线的层不同的层上,并且
该第一信号线和该连接线通过该接触孔彼此接触。
3、根据权利要求1的薄膜晶体管阵列面板,其中:
每个该第一信号线与每个该连接线用该绝缘层绝缘,
该接触孔包括:
第一接触孔,暴露该第一信号线;及
第二接触孔,暴露该连接线,并且
每个该第一信号线与每个对应的连接线通过该第一和第二接触孔彼此连接。
4、一种薄膜晶体管阵列面板,包括显示区域和周边区域,该周边区域具有第一、第二、第三和第四周边区域,该薄膜晶体管包括:
多个栅极线,形成在绝缘基板上,并且在第一方向上延伸;
栅极绝缘层,形成在该栅极线上;
多个数据线,形成在该栅极绝缘层上,并且在第二方向上延伸,该第二方向垂直于该第一方向;
驱动器,设置在该第一或者该第二周边区域上;及
多个数据信号传输线,形成在该第三和第四周边区域的至少一个上,其中:
部分该数据信号传输线包括端部,该端部根据从连接线到该驱动器的各自距离经过具有不同接触尺寸的该连接线连接到该数据线的端部,并且
该第一周边区域在该第一方向上面对该第二周边区域,并且该第三周边区域在该第二方向上面对该第四周边区域。
5、根据权利要求4的薄膜晶体管阵列面板,其中该多个数据信号传输线包括:
多个第一数据信号传输线,形成在该第三周边区域上,每一个连接到该数据线的偶数数据线和该驱动器;及
多个第二数据信号传输线,形成在该第四周边区域上,连接到该数据线的奇数数据线和该驱动器。
6、根据权利要求5的薄膜晶体管阵列面板,其中该多个第一数据信号传输线包括:
多个第一偶数信号传输线,与该栅极线形成在相同的层上,连接到第j-2数据线;及
多个第二偶数信号传输线,与该数据线形成在相同的层上且在与该第一偶数信号传输线不同的层上,连接到第j数据线,其中j是四的倍数,并且其中该多个第二数据信号传输线包括:
多个第一奇数信号传输线,与该栅极线形成在相同的层上,连接到第j-3数据线;及
多个第二奇数信号传输线,与该数据线形成在相同的层上且在与该第一奇数信号传输线不同的层上,连接到第j-1数据线。
7、根据权利要求6的薄膜晶体管阵列面板,其中:
该第一偶数信号传输线和该第一奇数信号传输线包括第一金属,其中该第一金属是与该栅极线相同的金属;并且
该第二偶数信号传输线和该第二奇数信号传输线包括第二金属,其中该第二金属是与该数据线相同的金属,并且具有比该第一金属更低的特征电阻率。
8、根据权利要求7的薄膜晶体管阵列面板,其中:
该栅极绝缘层包括以不同的暴露尺寸暴露该第一偶数信号传输线的该端部的多个第一接触孔、及以不同的暴露尺寸暴露该第一奇数信号传输线的该端部的多个第二接触孔;并且
该第一偶数信号传输线的该端部通过该第一接触孔以不同的接触尺寸接触该数据线的该端部,并且该第一奇数信号传输线的该端部通过该第二接触孔以不同的接触尺寸接触该数据线的该端部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的