[发明专利]发光二极管及其封装方法无效
申请号: | 200810097277.5 | 申请日: | 2008-05-08 |
公开(公告)号: | CN101577300A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 张家诚;陈逸勋;廖启维 | 申请(专利权)人: | 先进开发光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 潘培坤 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管及其封装方法,尤其涉及改进荧光粉涂敷技术以提高出光均匀性的发光二极管及其封装方法。
背景技术
现有的白色发光二极管通常是由一发光二极管芯片涂敷一定的荧光粉或荧光胶经封装而成。
如图1所示,美国专利第US6879490号揭示一种发光二极管8,其包含一封装板材体80及一发光二极管芯片81。该封装板材体80内开设一凹槽82,该发光二极管芯片81即设于该凹槽82内。该凹槽82的侧壁820设计为倾斜延伸,以反射发光二极管芯片81发出的光。然后以荧光胶体83填充该凹槽82,通过其倾斜侧壁820反射而提高出光均匀性与出光效果。
然而该发光二极管的改善仅是较现有技术中的凹槽侧壁为垂直的情况而言,实际上,其凹槽侧壁对二极管芯片发出的光仍有遮挡。因此该发光二极管仍存在相当大的发光损耗和出光不均匀性,尚需进一步改进。
发明内容
本发明提供一种发光二极管及其封装方法,其可以经济的方式提高出光效果和均匀性。
为达到上述目的,本发明提供下述技术方案:一种发光二极管,包含一封装板材体、一挡墙、一发光二极管芯片,及荧光填充物。该封装板材体具有一固晶区域,该挡墙是一设于该固晶区域的透明挡墙。该发光二极管芯片设置于该挡墙限定的区域内,该荧光填充物填充于该挡墙限定的区域而涂布于该发光二极管芯片周围。
本发明还提供一种发光二极管的封装方法,包含下列步骤:一固晶工艺,将一发光二极管芯片固定于一封装板材体;一透明挡墙设置工艺,在该封装板材体上设置包围该发光二极管芯片的透明挡墙;及一荧光填充物填充工艺,向该挡墙限定的区域内填充荧光填充物。
在一实施例中,该透明挡墙设置工艺可先于固晶工艺进行,如在该封装板材体的生产过程中设置。
根据本发明的发光二极管及其封装方法,其挡墙与该封装板材体一体成型或粘着于该封装板材体上。该挡墙限定的区域呈圆形、正方形或长方形。该挡墙是与该发光二极管的外封装体折射系数相同或相近的硅胶或透明树脂。该荧光填充物是荧光粉或荧光胶。该封装板材体是平板或呈凹形。
本发明的有益技术效果在于,在本发明的发光二极管及其封装方法中,其封装后的二极管较现有技术所包覆的荧光填充物厚度一致,芯片发出的光穿透荧光填充物的路径距离相同,因而可获得极佳的出光均匀性。另一方面,因为使用透明挡墙让光线穿越而非反射光,不影响二极管芯片的发光效率,且不会遮蔽其发出的光,大幅度降低光损耗。
附图说明
图1是一现有发光二极管的剖视图;
图2是根据本发明一实施例的发光二极管的立体示意图;
图3是沿图2中A-A线截取的剖视图。
其中,附图标记说明如下:
1、8发光二极管 2、80封装板材体
82凹槽 820侧壁
83荧光胶体 20固晶区域
3挡墙 4、81发光二极管芯片
5荧光填充物 6基板
7外罩
具体实施方式
为更好的理解本发明的精神,以下结合本发明的优选实施例对其作进一步说明。
根据本发明的发光二极管及其封装方法,是在发光二极管封装过程中,以一体成型或粘着方式在封装板材体的固晶区域上设置透明挡墙。该透明挡墙可使用硅胶、透明树脂,或其它可让光穿透的材料,且该挡墙的光折射系数与发光二极管的外封装体的保护胶材相同或相近。荧光胶/粉填充时,依该挡墙限制的区域涂布,可均匀形成于发光二极管芯片四周,达到出光均匀的目的。
具体的,如图2、3所示,根据本发明一实施例的发光二极管1,包含一封装板材体2、透明挡墙3、一发光二极管芯片4、荧光填充物5、一基板6,及一外罩7。该封装板材体2设置于该基板6上,其上设有一固定该发光二极管芯片4的固晶区域20。透明挡墙3设于该固晶区域20上,而发光二极管芯片4设置于该挡墙3限定的区域内。透明挡墙3可以与封装板材体2一体成型或采用粘着方式设置于封装板材体2上,其形状可为圆形、正方形、长方形等略大于发光二极管芯片4的围框,以围设于该芯片4的四周。荧光填充物5可使用荧光胶或荧光粉,依挡墙3所限制的区域填充,从而均匀涂布于该发光二极管芯片4的四周。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进开发光电股份有限公司,未经先进开发光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810097277.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。