[发明专利]不良晶粒挑选机及其方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种不良晶粒挑选机及其方法，特别涉及一种利用接触式或非接触式排除装置的不良晶粒挑选机及其方法。

背景技术

晶粒(die)为电子产业中基本的电子零件，其通过半导体制程步骤进行磊晶及后续制程，成为市面上常见的产品。在晶粒制程中，需将晶圆切割成晶粒，以利后续的封装等处理，但在切割过程中，极可能对晶粒造成毁损，故需要将不良晶粒挑选并搜集，以进行后续废弃等处理。

传统的不良晶粒挑选方法采用人工挑选，通过对晶圆上各晶粒进行对比，将不良晶粒挑选出并废弃。然而，随着半导体制程的微小化，晶粒的尺寸越来越小，使得人工挑选的难度增加，而且针对一片晶圆作不良晶粒挑选的工时极长。

针对上述问题，公知技术提出一种晶粒挑选机，通过挑选机先挑选出不良晶粒后，通过一吸嘴吸附不良晶粒，并经过一吸收装置，例如通过真空吸收方式，将不良晶粒吸收。例如，中国台湾专利号M253466提出的晶粒挑选机的快速晶粒挑捡结构改良。然而，半导体制程的微小化，使晶粒重量变轻，以晶粒为例，其晶圆在切割成晶粒后，放置在一胶膜上，在吸嘴吸附不良晶粒的同时，晶粒残留的黏胶将同时被吸嘴吸附，故晶粒极易被胶膜残留的黏胶所黏附至吸嘴上，而增加不良晶粒排除的难度，而吸收装置只有吸收的功能，并没有将不良晶粒从吸嘴上排除的功能。因此，现今仍需一能解决上述问题的不良晶粒排除机制，以提高排除效率。

发明内容

一方面，本发明提供一种能够提升不良晶粒排除效率的不良晶粒挑选机。

为实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案：

本发明提供的一种不良晶粒挑选机，包含操作基座，用以置放晶粒；拣选装置，包含吸嘴，其连接至真空源，用以吸附置于操作基座上的晶粒中的不良晶粒；以及非接触式排除装置，包含喷管连接至流体源，通过流体喷除吸嘴上的不良晶粒。上述非接触式排除装置包含静电去除装置。其中，静电去除装置包含静电枪或静电风扇。

本发明提供的另一种不良晶粒挑选机，包含操作基座，用以置放晶粒；拣选装置，包含吸嘴，其连接至真空源，用以吸附置于操作基座上的晶粒中的不良晶粒；以及接触式排除装置，包含直接接触器，通过直接接触器与吸嘴相互接触，以排除吸嘴上的不良晶粒。上述接触式排除装置包含静电去除装置。其中，静电去除装置包含静电枪或静电风扇。

另一方面，本发明提供一种能够提升不良晶粒排除效率的不良晶粒挑选方法。

为实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案：

本发明提供的一种不良晶粒挑选方法，包含备置操作基座，用以置放晶粒；通过拣选装置吸附操作基座上的晶粒中的不良晶粒；以及通过流体喷除拣选装置上的不良晶粒。此外，本不良晶粒挑选方法更包含去除拣选装置的静电。

本发明提供的另一种不良晶粒挑选方法，包含备置操作基座，用以置放晶粒；通过拣选装置吸附操作基座上的晶粒中的不良晶粒；以及通过直接接触器与拣选装置的吸嘴相互接触，以排除吸嘴上的不良晶粒。此外，本不良晶粒挑选方法更包含去除直接接触器的静电。

附图说明

本发明可通过说明书中若干较佳实施例及详细叙述以及附图得以了解。然而，本领域的技术人员应当理解所有本发明的较佳实施例用以说明而非用以限制本发明的权利要求，其中：

图1为本发明不良晶粒挑选机的操作示意图；

图2为图1所示本发明不良晶粒挑选机的拣选装置的侧视图；

图3为图1所示本发明不良晶粒挑选机的非接触式排除装置的侧视图；

图4为本发明不良晶粒挑选机的接触式排除装置的一实施例的剖面图；

图5为本发明不良晶粒挑选机的接触式排除装置的另一实施例的剖面图；

图6为本发明不良晶粒挑选机的接触式排除装置的又一实施例的剖面图；

图7为图6所示不良晶粒挑选机的接触式排除装置的上视图；

图8为本发明不良晶粒挑选方法的步骤示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明的技术方案，并使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。