[发明专利]分离半导体及其基板的方法

权利要求书

1.一种分离半导体及其基板的方法，包含下列步骤：

在基板的柱阵列上外延生长半导体层；以及

对该柱阵列进行湿蚀刻以分离该半导体层与该基板。

2.根据权利要求1所述的分离半导体及其基板的方法，其中上述柱阵列为间隔散布于该基板上的多个柱体，所述多个柱体的密度为2.2×10⁹至3×10¹⁰cm^-2，并且该柱阵列的尺度为50-300nm，其中对该柱阵列进行湿蚀刻通过注入蚀刻液于所述多个柱体间的空隙，以蚀刻该柱阵列。

3.根据权利要求2所述的分离半导体及其基板的方法，其中上述柱阵列的形成方式，包含下列步骤：

配置掩模于该基板上；

快速热退火该掩模以形成多个掩模部；

通过该多个掩模部间的空隙将该基板蚀刻出所述多个柱体；以及

分离该掩模与该基板。

4.根据权利要求3所述的分离半导体及其基板的方法，其中上述掩模包含镍层、银层或铂层。

5.根据权利要求4所述的分离半导体及其基板的方法，其中上述掩模还包含氮化硅层，其中该氮化硅层位于该基板上，并且该氮化硅层上配置该镍层、该银层或该铂层。

6.根据权利要求3所述的分离半导体及其基板的方法，其中上述蚀刻方式为感应式耦合等离子体干蚀刻。

7.根据权利要求3所述的分离半导体及其基板的方法，其中上述以湿蚀刻方式分离该半导体层与该柱阵列之前，还包含下列步骤：

形成金属镜面层于该半导体层上；

沉积导电基材于该金属镜面层上；以及

形成蚀刻保护层，以包覆该半导体层、该金属镜面层与该导电基材。

8.根据权利要求7所述的分离半导体及其基板的方法，其中上述形成该金属镜面层于该半导体层上之前，还包含形成化合物光电元件于该半导体层上，以使该化合物光电元件位于该金属镜面层与该半导体层之间。

9.根据权利要求3所述的分离半导体及其基板的方法，其中上述对该柱阵列进行湿蚀刻以分离该半导体层与该基板之后，还包含修复该半导体层被蚀刻的表面，并且修复该半导体层表面的方式包含下列方法之一及组合：干蚀刻、湿蚀刻与化学机械研磨工艺。

10.根据权利要求1所述的分离半导体及其基板的方法，其中上述半导体层包含下列之一及其组合：氮化镓、氮化铟镓、氮化铝镓，并且该基板包含蓝宝石、氧化锌、石英、硅为主的半导体材料、IIIV族半导体材料、或IIVI族半导体材料。