[发明专利]一种校正和获取参考电压的方法和装置

权利要求书

1、一种校正参考电压的方法，用于在晶圆级对芯片进行测试时，对芯片中的参考电压进行校正，其特征在于，该方法包括：

通过对所述的芯片中的参考电压寄存器中设置的缺省编码译码得到实际参考电压；

比对得到所述实际参考电压与基准值之间的偏差值；

根据所述偏差值设置校正编码，并将所述编码烧录到非挥发性存储介质当中。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非挥发性存储介质包括电可编程镕丝或一次性可编程存储器。

3、一种校正参考电压的装置，其特征在于，该装置包括：

实际电压获取模块，用于在晶圆级对芯片进行测试时，通过对所述芯片中的参考电压寄存器中设置的缺省编码译码得到实际参考电压；

偏差比对模块，用于比对所述实际参考电压与基准值，得到两者的偏差值；

校正编码生成烧录模块，用于根据所述偏差值设置校正编码，并将所述编码烧录到非挥发性存储介质模块当中；

非挥发性存储介质模块，用于保存所述校正编码生成烧录模块写入的校正编码。

4、根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述校正编码生成烧录模块包括校正编码生成单元和校正编码烧录单元；

所述校正编码生成单元，用于根据所述偏差值设置校正编码；

所述校正编码烧录单元，用于将所述编码烧录到非挥发性存储介质模块当中。

5、根据权利要求3或4所述的装置，其特征在于，所述非挥发性存储介质模块为电可编程镕丝或一次性可编程存储器。

6、一种获取参考电压的装置，其特征在于，该装置包括保存有预先烧录的校正编码的非挥发性存储介质模块：用于在晶圆级对芯片进行测试时，通过对所述芯片中的参考电压寄存器中设置的缺省编码译码得到实际参考电压；比对得到所述实际参考电压与基准值之间的偏差值；根据所述偏差值设置校正编码，并将所述编码烧录到非挥发性存储介质模块当中；该装置还包括译码输出模块；

所述非挥发性存储介质模块，进一步用于在芯片启动时读出所述校正编码并发送给译码输出模块；

所述译码输出模块，用于对非挥发性存储介质模块发送的校正编码进行译码后得到实际参考电压。

7、根据权利要求6所述的装置，其特征在于，该装置中还包括：转发选择模块和极限工作点设置模块；

所述转发选择模块，用于根据控制信号，分别在芯片启动时接收非挥发性存储介质模块发送的校正编码并转发给译码输出模块，以及在对芯片的极限工作点进行测试时，接收极限工作点设置模块设置的工作点设置编码并转发给译码输出模块；

所述译码输出模块，用于对转发选择模块发送的校正编码或工作点设置编码进行译码转换得到输出电压；

所述极限工作点设置模块，用于对芯片的工作点参数进行调整，并将所述对工作点参数进行调整的工作点设置编码发送给转发选择模块；

所述非挥发性存储介质模块，进一步用于在芯片启动时将烧录的校正编码提供给转发选择模块；

所述译码输出模块，进一步用于对转发选择模块发送的编码进行译码转换，将得到的电压输出。

8、根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述非挥发性存储介质包括电可编程镕丝或一次性可编程存储器。

9、一种获取参考电压的方法，用于在晶圆级对芯片进行测试时，获取所述芯片中的参考电压，其特征在于，该方法包括：

通过对所述芯片中的参考电压寄存器中设置的缺省编码译码得到实际参考电压；比对得到所述实际参考电压与基准值之间的偏差值并根据所述偏差值设置校正编码，将所述编码烧录到非挥发性存储介质当中；该方法还包括：

在芯片启动时读出所述烧录到非挥发性存储介质的校正编码；

对所述校正编码进行译码后得到实际参考电压。

10、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述非挥发性存储介质包括电可编程镕丝或一次性可编程存储器。