[发明专利]一种校正和获取参考电压的方法和装置有效

专利信息
申请号: 200810098275.8 申请日: 2008-05-28
公开(公告)号: CN101285848A 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 何再生 申请(专利权)人: 炬力集成电路设计有限公司
主分类号: G01R1/28 分类号: G01R1/28;G01R31/28;G01R31/26
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 代理人: 宋志强;麻海明
地址: 519085广东省珠海市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 校正 获取 参考 电压 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及集成电路设计与测试技术,具体涉及一种校正和获取参考电压的方法和装置。

背景技术

目前,计算机和微电子技术迅速发展,作为信息技术领域基础和核心的集成电路(Integrated Circuit,IC)技术也愈发重要,各种用途的IC芯片(下文中简称芯片)广泛应用于工业生产、交通运输和日常生活的各个方面。

芯片工作时,除了需要工作电压,还需要外部提供参考电压,参考电压通常在芯片设计时存在一个基准值,用来确定实际工作中电路中各电平的逻辑高低,因此是保证芯片正常工作的必要条件。当实际参考电压与该基准值相同时,芯片按照设计要求进行工作,如果实际参考电压偏离基准值,就可能会影响芯片的功能实现,如果偏离超过一定范围时,甚至会导致芯片完全失效或发生损坏。因此,无论对于芯片开发还是应用,保证芯片工作状态下的实际参考电压与设计时的基准值一致,都是保证芯片功能正常实现的首要条件。

现有技术中一般使用外挂方式向芯片提供参考电压,图1示出了通过芯片引脚连接外挂电源的示意图,将外挂的参考电压生成电路101输出的电压信号(例如可以是电压恒定的稳压源的输出电压)连接到芯片上的参考电压引脚102,再由引脚102引入芯片功能电路103来提供参考电压。

参考电压生成电路101是一个功能完整且独立的功能电路,因此对于芯片应用来说,采用外挂方式提供参考电压就意味着需要两个分立的功能电路配合工作才能实现芯片的正常工作,而在集成电路领域,元件的集成度越高,电路的稳定性就越好,成本也就越低,可见这种参考电压生成电路和芯片分立的使用方式,稳定性较低且应用成本较高。

同时,由于参考电压生成电路101可以采用多种实现方案,因此当外挂电源输出的实际电压与基准值不同,需要对外挂电源进行校正时,对不同的应用方案需要分别进行参考电压的校准,因此不利于芯片在各种电路应用方案中的应用。

发明内容

本发明实施例提供一种校正参考电压的方法和装置,能够不必根据外挂电源的不同应用方案分别进行参考电压校准。

本发明实施例提供一种获取参考电压的方法和装置,不需要通过连接外挂电源的方式获取芯片的参考电压。

为达到上述目的的第一个方面,本发明的技术方案具体是这样实现的:

一种校正参考电压的方法,用于在晶圆级对芯片进行测试时,对芯片中的参考电压进行校正,该方法包括:

通过对所述的芯片中的参考电压寄存器中设置的缺省编码译码得到实际参考电压;

比对得到所述实际参考电压与基准值之间的偏差值;

根据所述偏差值设置校正编码,并将所述编码烧录到非挥发性存储介质当中。

所述非挥发性存储介质包括电可编程镕丝或一次性可编程存储器。

一种校正参考电压的装置,该装置包括:实际电压获取模块,偏差比对模块、校正编码生成烧录模块和非挥发性存储介质模块;

所述实际电压获取模块,用于在晶圆级对芯片进行测试时,通过对所述芯片中的参考电压寄存器中设置的缺省编码译码得到实际参考电压;

所述偏差比对模块,用于比对所述实际参考电压与基准值,得到两者的偏差值;

所述校正编码生成烧录模块,用于根据所述偏差值设置校正编码,并将所述编码烧录到非挥发性存储介质模块当中;

所述非挥发性存储介质模块,用于保存所述校正编码生成烧录模块写入的校正编码。

所述校正编码生成烧录模块包括校正编码生成单元和校正编码烧录单元;

所述校正编码生成单元,用于根据所述偏差值设置校正编码;

所述校正编码烧录单元,用于将所述编码烧录到非挥发性存储介质模块当中。

所述非挥发性存储介质模块为电可编程镕丝或一次性可编程存储器。

由上述的技术方案可见,本发明实施例的这种校正参考电压的方法和装置,根据芯片缺省编码对应的实际参考电压与基准值之间的偏差设置校正编码并将所述编码烧录到集成在芯片上的非挥发性存储介质当中,能够不必根据外挂电源的不同应用方案分别进行参考电压校准,实现对芯片进行参考电压校准操作的标准化,节省芯片应用方案的成本。

为达到上述目的的另一个方面,本发明的技术方案具体是这样实现的:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于炬力集成电路设计有限公司,未经炬力集成电路设计有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810098275.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top