[发明专利]堆栈式芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 200810098567.1 申请日: 2008-05-22
公开(公告)号: CN101290929A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 庄耀凯;刘千;钟智明;刘昭成 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 堆栈 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种堆栈式芯片封装结构,其特征在于,包括:

一导线架,具有多个彼此电性绝缘的第一引脚及第二引脚,该多个第一引脚具有一第一上表面,该多个第二引脚具有一第二上表面,其中该第一上表面及该第二上表面不共平面;

一芯片封装体,配置于该多个第一引脚的该第一上表面上,该芯片封装体包括:

一衬底,与该多个第一引脚电性连接;

一第一芯片,配置于该衬底上,且与该衬底电性连接;以及

一第一封装胶体,配置于该衬底上,且包覆该第一芯片;

一第二芯片,堆栈于该芯片封装体上,且与该多个第二引脚电性连接;以及

一第二封装胶体,配置于该导线架上,且填充于各该第一及第二引脚之间,以包覆该芯片封装体与该第二芯片,其中该多个第一引脚与该多个第二引脚凸出于该第二封装胶体外。

2.根据权利要求1所述的堆栈式芯片封装结构,其特征在于,其中该第一芯片是透过多条打线导线或多个焊球与该衬底电性连接。

3.根据权利要求1所述的堆栈式芯片封装结构,其特征在于,其中该芯片封装体进一步包括一第三芯片,该第三芯片堆栈于该第一芯片上,且与该衬底电性连接。

4.根据权利要求1所述的堆栈式芯片封装结构,其特征在于,其中该芯片封装体进一步包括一第四芯片以及一第五芯片,该第四芯片配置于该衬底上,且与该衬底电性连接,而该第五芯片横跨于该第一芯片与该第四芯片之间,且该第五芯片与该第一芯片及该第四芯片电性连接。

5.根据权利要求1所述的堆栈式芯片封装结构,其特征在于,其中该衬底是透过多个焊球与该多个第一引脚电性连接。

6.一种堆栈式芯片封装结构,其特征在于,包括:一导线架,具有多个彼此电性绝缘的第一引脚及第二引脚;

一芯片封装体,固定于该导线架的该多个第一引脚上,该芯片封装体包括:

一衬底,具有一第一表面以及与其相对的一第二表面,其中该衬底包括多个配置于该第二表面上的焊球,且该多个焊球由该导线架中暴露出来;

一第一芯片,配置于该衬底上,且与该衬底电性连接;以及

一第一封装胶体,配置于该衬底上,且包覆该第一芯片;

一第二芯片,堆栈于该芯片封装体上,且与该多个第二引脚电性连接;以及

一第二封装胶体,配置于该导线架上,且填充于该多个第一引脚与该多个第二引脚之间,以包覆该第一封装胶体与该第二芯片,且该第二封装胶体暴露出该多个焊球,其中该多个第一引脚与该多个第二引脚凸出于该第二封装胶体外。

7.根据权利要求6所述的堆栈式芯片封装结构,其特征在于,其中该第一芯片是透过多条打线导线或多个焊球与该衬底电性连接。

8.根据权利要求6所述的堆栈式芯片封装结构,其特征在于,其中该芯片封装体进一步包括一第三芯片,该第三芯片堆栈于该第一芯片上,且与该衬底电性连接。

9.根据权利要求6所述的堆栈式芯片封装结构,其特征在于,其中该芯片封装体进一步包括一第四芯片以及一第五芯片,该第四芯片配置于该衬底上,且与该衬底电性连接,而该第五芯片横跨于该第一芯片与该第四芯片之间,且该第五芯片与该第一芯片及该第四芯片电性连接。

10.根据权利要求6所述的堆栈式芯片封装结构,其特征在于,其中该第二芯片是透过多条打线导线与该多个第二引脚电性连接。

11.根据权利要求6所述的堆栈式芯片封装结构,其特征在于,其中该多个第一引脚与该多个第二引脚凸出于该第二封装胶体外。

12.根据权利要求6所述的堆栈式芯片封装结构,其特征在于,其中该多个第一引脚分别具有一阶梯结构,该多个阶梯结构形成一容置凹槽,使该芯片封装体固定于该容置凹槽中。

13.根据权利要求6所述的堆栈式芯片封装结构,其特征在于,其中该多个第一引脚具有一第一上表面,该多个第二引脚具有一第二上表面,其中该第一上表面及该第二上表面不共平面。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810098567.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top