[发明专利]可达成背面电性导通的半导体芯片封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种可达成背面电性导通的半导体芯片封装结构，其特征在于，包括：

一封装单元，其具有至少一中央容置槽；

至少一半导体芯片，其容置于该至少一中央容置槽内，并且该至少一半导体芯片的上表面具有多个导电焊垫；

一基板单元，设置有穿孔，该封装单元设置于该穿孔内，使该基板单元设置于该封装单元的外围；

一第一绝缘单元，其具有至少一形成于该些导电焊垫之间的第一绝缘层，以使得该些导电焊垫彼此绝缘；

一第一导电单元，其具有多个第一导电层，并且每一个第一导电层的一端分别电性连接于该些导电焊垫；

一第二导电单元，其具有多个第二导电层，并且该些第二导电层分别成形于该些第一导电层上；以及

一第二绝缘单元，其成形于该些第一导电层彼此之间及该些第二导电层彼此之间，以使得该些第一导电层彼此之间及该些第二导电层彼此之间产生电性隔绝。

2.如权利要求1所述的可达成背面电性导通的半导体芯片封装结构，其特征在于，所述基板单元为一由导电材料所制成的导线架。

3.如权利要求1所述的可达成背面电性导通的半导体芯片封装结构，其特征在于，所述基板单元为一电路板，并且该电路板的外侧具有多个用于导通上下层的导电轨迹。

4.如权利要求1所述的可达成背面电性导通的半导体芯片封装结构，其特征在于，该至少一半导体芯片为一集成电路芯片，所述封装单元为一不透光材料，并且该些导电焊垫至少分成一电极焊垫组及一讯号焊垫组。

5.如权利要求1所述的可达成背面电性导通的半导体芯片封装结构，其特征在于，所述该些分别电性连接于该些导电焊垫的第一导电层成形于所述封装单元及所述基板单元上。

6.如权利要求1所述的可达成背面电性导通的半导体芯片封装结构，其特征在于，所述第二绝缘单元的一部分覆盖于该些第二导电层上。

7.一种可达成背面电性导通的半导体芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供至少两颗半导体芯片，其中每一颗半导体芯片具有多个导电焊垫；

将一覆着性高分子材料黏贴于一具有至少两个穿孔的基板单元的下表面；

将上述至少两颗半导体芯片容置于上述至少两个穿孔内并设置于该覆着性高分子材料上，其中该些导电焊垫是面向该覆着性高分子材料；

将至少二个封装单元分别填充于上述至少两个穿孔内，以覆盖该覆着性高分子材料及上述至少两颗半导体芯片；

将该封装单元反转并且移除该覆着性高分子材料，以使得该些导电焊垫外露并朝上；

成形具有多个第一导电层的第一导电单元，并且每一个第一导电层的一端分别电性连接于该些导电焊垫；

成形具有多个第二导电层的第二导电单元，并且该些第二导电层分别成形于该些第一导电层上；

成形一绝缘单元于该些第一导电层彼此之间及该些第二导电层彼此之间，以使得该些第一导电层彼此之间及该些第二导电层彼此之间产生电性隔绝；以及

依序切割上述位于至少两颗半导体芯片之间的绝缘单元、第二导电单元、第一导电单元及基板单元，以形成至少两颗单颗的半导体芯片封装结构。

8.如权利要求7所述的可达成背面电性导通的半导体芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述基板单元为一由导电材料所制成的导线架。

9.如权利要求7所述的可达成背面电性导通的半导体芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述基板单元为一电路板，并且该电路板的外侧具有多个用于导通上下层的导电轨迹。

10.如权利要求7所述的可达成背面电性导通的半导体芯片封装结构的制作方法，其特征在于，每一颗半导体芯片为一集成电路芯片，所述封装单元为一不透光材料，并且该些导电焊垫至少分成一电极焊垫组及一讯号焊垫组。

11.如权利要求7所述的可达成背面电性导通的半导体芯片封装结构的制作方法，其特征在于，上述提供至少两颗半导体芯片的步骤中，更进一步包括：

形成一第一绝缘材料于所述半导体芯片及该些导电焊垫上；以及

移除部分的第一绝缘材料而形成一第一绝缘层，以露出该些导电焊垫；

其中，该第一绝缘材料是以印刷、涂布、或喷涂的方式形成于该半导体芯片上，并且经过烘烤程序以硬化该第一绝缘材料，然后通过曝光、显影、及蚀刻过程的配合以移除上述部分的第一绝缘材料。