[发明专利]影像显示系统及其制造方法

说明书

技术领域

本发明关于一种影像显示系统及其制造方法，尤指一种有源阵列有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode；AMOLED)显示器电路及其制造方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)已公认为下一个时代的平面显示器技术，特别是有源阵列有机发光二极管(AMOLED)显示器，更是现今相关业界争相投入大量资源开发的产品。有源阵列有机发光二极管(AMOLED)显示器的一个像素单元可包含驱动薄膜晶体管(driving TFT)、开关薄膜晶体管(switchingTFT)、光感测组件以及电容。制作AMOLED前述组件时，是使用准分子激光退火法(Excimer Laser Anneal；ELA)使长在玻璃基板上的非晶硅层(Amorphous Silicon)化成多晶硅层(Poly Silicon)。

但由于对用来驱动光感测组件(OLED)的驱动电路的驱动薄膜晶体管(driving TFT)与开关薄膜晶体管(switching TFT)的电学性能要求迥异，如希望开关薄膜晶体管的载流子迁移率高，同时要求驱动薄膜晶体管的结晶晶粒小，以减少因各别OLED间的差异，即晶体管间的不一致性(non-uniformity)造成的发光不均匀(Mura)现象，因此，前述非晶硅层化成多晶硅层的结晶化制程中，需在不同区域形成不同晶粒特性的多晶硅层为佳。

因此现今业界多以不同道制程，不同的结晶化制程，以激光结晶技术，例如：准分子激光退火法。以非激光结晶技术，例如：固相结晶化法(Solid PhaseCrystallization；SPC)、金属诱导结晶化法(Metal Induced Crystallization；MIC)、金属诱导侧向结晶化法(Metal Induced Lateral Crystallization；MILC)、电场增强金属诱导侧向结晶化法(Field Enhanced Metal Induced Lateral Crystallization；FE-MILC)等来达成前述目的。

然而相较于单一激光结晶技术进行结晶化制程，前述以不同道制程，不同的结晶化制程的各种方法不仅制程时间较长，且过程繁复，因而仍有良率无法提升的困难。此外，不同结晶化制程产生的多晶硅在晶粒特性上亦会导致明显的差异，本发明意在解决因各别OLED间的差异造成的发光不均匀(Mura)现象，而造成AMOLED产品良率偏低的问题。

因此，如能以单一结晶化制程，于开关电路区域及该区域之外，同时分别形成晶粒尺寸不同的多晶硅层，即能有效解决前述种种问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种影像显示系统及其制造方法，能以单一结晶化制程，于第一区域及第二区域分别形成晶粒尺寸不同的多晶硅层，解决以准分子激光退火法形成多晶硅层时，所导致的发光不均匀(Mura)现象，从而使本发明的影像显示系统具有良好的发光均匀性。

本发明的另一目的是提供一种影像显示系统及其制造方法，可增加光感测组件的光灵敏度。

本发明的又一目的是提供一种影像显示系统及其制造方法，可减少电容面积，增加影像显示系统的开口率。

本发明影像显示系统包含一基板、一开关薄膜晶体管以及一驱动薄膜晶体管。基板具有第一区域及第二区域。开关薄膜晶体管(switching TFT)，位于基板的第一区域上，且包括一第一多晶硅层。驱动薄膜晶体管(driving TFT)位于基板的第二区域上，且包括一第二多晶硅层以及一导热层，第二多晶硅层和导热层之间隔着一隔离层，第二区域亦可具有光感测组件以及电容，第一多晶硅层与第二多晶硅层具有不同的晶粒特性。

本发明影像显示系统的制造方法包含步骤有提供一基板，具有一第一区域和一第二区域；形成一缓冲层于该基板的第一区域和第二区域上；形成一导热层于第二区域的缓冲层上；形成一隔离层于该第二区域的导热层上；形成一非晶硅层于该第一区域的缓冲层上以及该第二区域的隔离层上；通过一结晶化制程使第一区域及第二区域的非晶硅层分别形成具有不同晶粒特性的第一多晶硅层及第二多晶硅层；在第一区域上形成一开关薄膜晶体管，其包括第一多晶硅层；以及在第二区域上形成一驱动薄膜晶体管，其包括第二多晶硅层。

其中第一多晶硅层的结晶晶粒尺寸大于第二多晶硅层的结晶晶粒尺寸，则第一多晶硅层的载流子迁移率能高于第二多晶硅层的载流子迁移率。

光感测组件的导热层用以反射照在光感测组件的光线，增加该光感测组件的光灵敏度。而电容的导热层可作为该电容的电极，与该电容并联，能减少该电容面积，增加该有机发光二极管显示器的开口率。