[发明专利]图像捕获器件模块及其制造方法和电子信息器件无效
申请号: | 200810099144.1 | 申请日: | 2008-05-12 |
公开(公告)号: | CN101304037A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
发明(设计)人: | 谷田好范;田中富士夫;西田胜逸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/822;H01L21/78;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;刘宗杰 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 捕获 器件 模块 及其 制造 方法 电子信息 | ||
1.一种图像捕获器件模块,包括:
设置在基底电路基板上的图像捕获器件;
半透明元件,其被用第一粘结剂粘附到图像捕获器件以覆盖图像捕获器件中的有效像素区域的上部,其中半透明元件的上表面形成为平坦表面;
透镜体,其包括将光聚焦到图像捕获器件中的有效像素区域中的透镜部分以及半透明的且围绕透镜部分设置以暴露出透镜部分的上部的支撑部分,其中支撑部分的下表面形成为平坦表面,且其中支撑部分的下表面用第二粘结剂粘附到半透明元件的上表面;
非半透明成型树脂,其将图像捕获器件、半透明元件和透镜体成型,且暴露出透镜部分的上部。
2.根据权利要求1所述的图像捕获器件模块,其中用第一粘结剂在图像捕获器件中的有效像素区域与半透明元件的下表面之间以气密的方式形成空间。
3.根据权利要求1所述的图像捕获器件模块,其中半透明元件是IR刻花玻璃。
4.一种根据权利要求1所述的图像捕获器件模块的制造方法,包括下述步骤:
制备半导体晶片,其中形成多个图像捕获器件部分,该多个图像捕获器件部分的每一个被形成为图像捕获器件,并使用第一粘结剂在半导体晶片上的各个图像捕获器件部分上粘附半透明元件;
使用第二粘结剂在半透明元件的上表面上粘附透镜体;
将半导体晶片分割为每个图像捕获器件部分以形成多个图像捕获器件,其中半透明元件和透镜体粘附到每个图像捕获器件;
制备其上形成有多个基底电路基板部分的基底基板,该多个基底电路基板部分的每一个被形成为基底电路基板,并将粘附有半透明元件和透镜体的图像捕获器件管芯接合到基底基板上的基底电路部分;
用成型树脂进行成型,使得暴露出设置于基底基板上的所有透镜体中的各个透镜部分的每个上部;以及
将基底基板连同成型树脂一起分割为每个基底电路基板部分以形成基底电路基板。
5.根据权利要求4所述的图像捕获器件模块的制造方法,其中在粘附半透明元件的步骤中,沿包围图像捕获器件部分中的有效像素区域的整个外围连续施加第一粘结剂。
6.根据权利要求5所述的图像捕获器件模块的制造方法,其中在粘附半透明元件的步骤中,用第一粘结剂在图像捕获器件部分中的有效像素区域与半透明元件的下表面之间以气密的方式形成空间。
7.根据权利要求4所述的图像捕获器件模块的制造方法,其中所述半透明元件是IR刻花玻璃。
8.一种电子信息器件,其使用根据权利要求1所述的图像捕获器件作为其图像输入部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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