[发明专利]具垂直电性导通的三维堆叠芯片封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种具垂直电性导通的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：

一芯片，具有至少一导电性垫片、至少一贯通孔及至少一盲孔，其中所 述导电性垫片形成于所述芯片的一第一表面上，所述贯通孔贯穿所述导电性 垫片及所述芯片，及所述盲孔形成于所述导电性垫片上方；

一绝缘层形成于所述贯通孔及盲孔周壁以及所述芯片的所述第一表面及 其相对的一第二表面上；

一电性连接层，形成于所述绝缘层上并填塞所述贯通孔及盲孔，以将所 述芯片的电性从所述第一表面导引至所述第二表面；及

至少一导电性硬质掩膜图案层，分别接触形成于所述芯片的所述第一表 面及所述第二表面的所述电性连接层上，且并未通过所述贯通孔。

2.如权利要求1所述的具垂直电性导通的芯片结构，其特征在于，所述 电性连接层包含一第一导电性层及一第二导电性层，所述第一导电性层形成 于所述绝缘层与所述第二导电性层之间。

3.如权利要求1所述的具垂直电性导通的芯片结构，其特征在于，所述芯 片包含多个导电性垫片、多个贯通孔及多个盲孔，所述这些导电性垫片形成 于所述芯片的所述第一表面上，所述这些贯通孔分别贯穿所述导电性垫片及 所述芯片，及所述这些盲孔分别形成于所述导电性垫片上方。

4.如权利要求1所述的具垂直电性导通的芯片结构，其特征在于，所述芯 片的基材选自下列任一者：硅晶片、III-V族晶片及玻璃晶片。

5.一种三维堆叠芯片封装结构，其特征在于，所述三维堆叠芯片封装结构 至少包括：

一第一基板，包含：

至少一芯片、至少一第一导电性垫片、至少一贯通孔及至少一盲孔，其 中所述第一导电性垫片形成于所述第一基板的一第一表面上，所述贯通孔贯 穿所述第一导电性垫片及所述第一基板，及所述盲孔形成于所述第一导电性 垫片上方；

一绝缘层形成于所述贯通孔及盲孔周壁以及所述第一基板的所述第一表 面及其相对的一第二表面上；

一电性连接层，形成于所述绝缘层上并填塞所述贯通孔及盲孔，以将所 述第一基板的电性从所述第一表面导引至所述第二表面；

至少一导电性硬质掩膜图案层，分别接触形成于所述第一基板的所述第 一表面及所述第二表面的所述电性连接层上，且并未通过所述贯通孔；及

一第二基板，所述第二基板结构相同于所述第一基板结构，所述第二基 板的第一表面堆叠于所述第一基板的所述第二表面下方，并且彼此对应的所 述这些电性连接层互相接合；

其中，分别形成在所述第一基板与所述第二基板上的所述至少一导电性 硬质掩膜图案层将所述第一基板与所述第二基板接合在一起，并且该些所述 导电性硬质掩膜图案层是经回焊步骤熔融而完全包覆所述第一基板与所述第 二基板上的彼此结合的所述电性连接层。

6.如权利要求5所述的三维堆叠芯片封装结构，其特征在于，所述电性连 接层包含一第一导电性层及一第二导电性层，所述第一导电性层形成于所述 绝缘层与所述第二导电性层之间。

7.如权利要求5所述的三维堆叠芯片封装结构，其特征在于，所述第一 基板包含多个芯片、多个第一导电性垫片、多个贯通孔及多个盲孔，所述第 一导电性垫片形成于所述第一基板的第一表面上，所述贯通孔分别贯穿所述 第一导电性垫片及所述第一基板，及所述盲孔分别形成于所述第一导电性垫 片上方。

8.如权利要求5所述的三维堆叠芯片封装结构，其特征在于，所述三维堆 叠芯片封装结构还包含一电路基板具有至少一第二导电性垫片，所述第二基 板堆叠于所述电路基板上方，并且所述第二基板的所述第二表面的所述电性 连接层对应接合至少一所述第二导电性垫片。

9.如权利要求8所述的三维堆叠芯片封装结构，其特征在于，所述形成在 所述第二基板上的所述至少一导电性硬质掩膜图案层是经回焊步骤熔融而与 所述第二导电性垫片彼此接合。