[发明专利]叠层基板的裁切方法、半导体器件及其制法、发光装置

权利要求书

1.一种叠层基板的裁切方法，该叠层基板的正面形成有第一金属层且反面形成有第二金属层，

该叠层基板的裁切方法包括分别从上述第一金属层侧和上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤；

从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度相互不同。

2.根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中，

从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度小于从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度。

3.根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中，

从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度大于从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度。

4.根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中，

对叠层基板进行裁切，使得宽度较小的切口位于宽度较大的切口的内侧。

5.根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中，

最后的裁切步骤的切口宽度小于其它裁切步骤的切口宽度。

6.根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中，

从第一金属层侧裁切上述第一金属层和上述叠层基板之间的界面；

从第二金属层侧裁切上述第二金属层和上述叠层基板之间的界面。

7.根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中，

上述第一金属层的厚度大于上述第二金属层的厚度。

8.根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中，

用超硬刀片裁切上述第一金属层。

9.根据权利要求8所述的叠层基板的裁切方法，其中，

一边沿着上述刀片的半径方向对上述刀片施加超声波一边进行裁切。

10.根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中，

上述叠层基板是由不同材料层叠而成的多层基板。

11.根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中，

上述叠层基板包括环氧玻璃基板。

12.根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中，

上述叠层基板包括多层配线树脂层。

13.根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中，

上述裁切步骤包括从上述第一金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止从而形成第一裁切槽的步骤；以及从上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述第一裁切槽为止从而形成第二裁切槽的步骤，

上述形成第一裁切槽的步骤包括用超硬刀片裁切上述第一金属层并裁切至接近上述叠层基板的步骤。

14.根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中，

上述裁切步骤包括从上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止从而形成第一裁切槽的步骤；以及从上述第一金属层侧进行裁切并裁切到上述第一裁切槽为止从而形成第二裁切槽的步骤；

在上述形成第二裁切槽的步骤中，一边用刀片切入被粘贴在上述第二金属层侧的粘合膜一边形成上述第二裁切槽。

15.一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有在正面形成有第一金属层并在反面形成有第二金属层的叠层基板，

该半导体器件的制造方法包括分别从上述第一金属层侧和上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤；

从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度相互不同。

16.一种半导体器件，通过半导体器件制造方法制成，该半导体器件具有在正面形成有第一金属层并在反面形成有第二金属层的叠层基板，

上述半导体器件制造方法包括分别从上述第一金属层侧和上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤，从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度相互不同。