[发明专利]叠层基板的裁切方法、半导体器件及其制法、发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种叠层基板的裁切方法、具有该叠层基板的半导体器件的制造方法、半导体器件、发光装置以及背光灯装置，其中，上述叠层基板的正面形成有第一金属层，其反面形成有第二金属层。

背景技术

以下说明现有叠层基板的裁切方法。图8(a)～图8(c)是说明现有叠层基板的裁切方法的剖面图。导体部71连接绝缘基板75的轮廓线，且导体部71和独立于轮廓线的导体部72通过电解电镀用导通部73相互连接。如图8(b)所示，在导通部73上形成预切口74，然后如图8(c)所示，通过扩孔加工法等在绝缘基板75上形成凹部76，从而裁切导通部73。

图9(a)和图9(b)是说明现有的叠层基板的另一裁切方法的剖面图。在基板61的主面61a上形成有多个金属镀敷层62。通过基板61正面的露出部也就是非金属镀敷部63将上述金属镀敷层62分离、分割成各种大小。非金属镀敷部63是进行裁切时的切口，其宽度被设定为大于在裁切时所使用刀具的刀刃宽度。然后，将基板61安装在精密裁切机(未图示)等上，通过外缘刃的金刚石刀具64等，沿着由非金属镀敷部63所构成的切口将基板61裁切成所期望大小尺寸的电路基板。其中，上述金刚石刀具64的刀刃宽度小于非金属镀敷部63的宽度。

图10(a)和图10(b)是说明现有的叠层基板的其它裁切方法的剖面图。表面安装型LED基板上形成有保护膜，在LED的反面上形成有导体图形(conduction pattern)，该保护膜至少覆盖该导体图形上的将通过切割被裁切的部分上的导体图形，该LED具有多面。因此，如图10(a)所示，即使通过切割装置的刀片对具有多面的LED进行裁切，如图10(b)所示，覆盖导体图形的保护膜将起到抑制导体图形发生毛刺的作用，所以，导体图形的毛刺不会从保护膜向外部突出。

以下说明将由厚膜金属层、多层配线树脂层、环氧玻璃基板和反面电极层所构成的多层基板裁切成单个发光装置的示例。图11(a)是说明现有叠层基板的其它裁切方法的平面图；图11(b)是表示图11(a)所示的叠层基板的剖面AA的向视图。具有叠层基板的半导体元件或发光装置的制造方法中，对叠层基板进行裁切使其单片化的步骤存在各种问题。其中，上述叠层基板在以陶瓷或树脂作为母体的绝缘基板的内部或正面具有配线。

发光装置材料89具有环氧玻璃基板81。在环氧玻璃基板81上形成有多层配线树脂层80。多层配线树脂层80具有配线层88和树脂层87。在树脂层87上形成有厚膜金属层93。在环氧玻璃基板81的与有多层配线树脂层80一侧相反的一侧，形成有反面电极94。通过对形成于环氧玻璃基板81中的通孔内的电镀，实现配线层88和反面电极94的电连接。

在厚膜金属层93中形成有杯状的凹部99。对凹部99的内部进行蚀刻加工，并使得在凹部99的底部露出树脂层87的LED芯片搭载面86。在此，省略对搭载于LED芯片搭载面86上的LED芯片和用于密封凹部99内的LED芯片的密封树脂进行图示。凹部99的内壁是围绕LED芯片的反射面。像这样，凹部99被配置成棋盘格状。在裁切时，裁切的是各凹部99之间的未加工的部分。通常，在裁切环氧玻璃基板时，利用被称为电铸刀的刀片从厚膜金属层93侧开始裁切，该电铸刀是其表面附着有金刚石微粒的刀片。

上述现有技术例如是在日本国专利申请公开特开平3-183190号公报(公开日：1991年8月9日)、日本国专利申请公开特开平3-259589号公报(公开日：1991年11月19日)以及日本国专利申请公开特开2007-88155号公报(公开日：2007年4月5日)中所揭示的技术。

但是，利用上述图11(a)和图11(b)所示的现有技术，将会在裁切后的断面的在反面电极94一侧产生电极毛刺这样的问题。另外，还存在其他问题，例如在切割厚膜金属层93时金属碎屑的产生、刀片消耗大、裁切困难。如果将刀片换成由钨碳化物形成且其刀刃呈锯齿状的被称为超硬刀片，虽然能够简单地完全切割，但是，在该结构中，存在有在多层配线树脂层80上产生裂纹这样的问题。

另外，利用电铸刀从反面电极94侧进行切割时，多层配线树脂层80虽几乎不产生裂纹，但是，会在厚膜金属层93的上部产生金属毛刺。