[发明专利]接点结构与接合结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种接点结构与接合结构，且特别涉及一种电性可靠度较佳的接点结构与接合结构。

背景技术

随着科技进步，各种电子装置朝向小型化及多功能化的方向发展。因此为了使电子装置中的芯片能传输或接收更多的信号，电性连接于芯片与线路板之间的接点也朝向高密度化的方向发展。

于已知技术中，电性连接芯片与玻璃基板的方法多为先在芯片的接点与玻璃基板的导电结构之间配置各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)，且芯片的接点与玻璃基板的导电结构皆面向各向异性导电膜。然后，压合芯片的接点、各向异性导电膜与玻璃基板的导电结构，以通过各向异性导电膜中的导电颗粒电性连接芯片的每一接点与玻璃基板上与前述接点对应的导电结构。

然而，当芯片的接点密度以及玻璃基板的导电结构的密度增加时，芯片的接点之间的间距以及玻璃基板的导电结构之间的间距皆缩小。因此，芯片的接点通过各向异性导电膜中的导电颗粒将有可能会与邻近的接点或导电结构电性连接，进而造成短路或漏电。

因此，已有人提出一种表面覆盖有金属层的柱状高分子凸块以做为芯片的接点结构。而使芯片的接点与玻璃基板的导电结构电性连接的方法是先在芯片与玻璃基板的导电结构之间配置非导电性黏胶层。然后，将芯片压合于玻璃基板上，以使柱状高分子凸块贯穿非导电性黏胶而与玻璃基板的导电结构接触并电性连接。

然而，柱状高分子凸块在压合时容易有应力集中的问题，因此易导致金属层破裂而影响其电性可靠度。

发明内容

本发明提出一种接点结构，其高分子凸块与另一基板接合时不会有应力集中的问题。

本发明另提出一种接点结构，其高分子凸块于与另一基板接合时较易贯穿接合材料。

本发明还提出一种接合结构，具有较佳的电性可靠度。

为具体描述本发明的内容，在此提出一种接点结构，其设置在基板上。接点结构包括至少一接垫、至少一高分子凸块以及至少一导电层。其中，接垫位于基板上，且高分子凸块配置于基板上。高分子凸块具有弧状表面，且在弧状表面上具有多个凹凸结构，弧状表面与基板的第一接触角θ1大于零度并小于等于80度。导电层覆盖高分子凸块，且导电层与接垫电性连接。

在本发明的一实施例中，导电层全面覆盖或部分覆盖高分子凸块。

在本发明的一实施例中，接点结构还包括保护层，保护层配置于基板上并暴露出接垫。

在本发明的一实施例中，高分子凸块配置于接垫上或同时跨越在接垫上与基板上。

在本发明的一实施例中，导电层有一个或多于一个，导电层覆盖在同一高分子凸块上并分别与对应的接垫电性连接。

在本发明的一实施例中，导电层有一个或多于一个，导电层覆盖在同一高分子凸块上并与同一接垫电性连接。

在本发明的一实施例中，位于高分子凸块上的导电层会与一个或多于一个的接垫电性连接。

在本发明的一实施例中，位于一个或多于一个的高分子凸块上的导电层均与同一接垫电性连接。

在本发明的一实施例中，接点结构还包括高分子保护层，位于基板上且至少暴露出高分子凸块以及接垫。

为具体描述本发明的内容，在此提出一种接点结构，其设置在基板上。接点结构包括至少一接垫、至少一高分子凸块以及至少一导电层。接垫位于基板上，且高分子凸块配置于基板上。高分子凸块具有顶部平面以及位于顶部平面两侧的弧状凹凸表面，弧状表面与基板的第一接触角θ1大于零度并小于等于80度。导电层覆盖高分子凸块，且与接垫电性连接。

在本发明的一实施例中，顶部平面具有多个凹凸结构或为平滑结构。

在本发明的一实施例中，导电层全面覆盖或部分覆盖高分子凸块。

在本发明的一实施例中，接点结构还包括保护层，保护层配置于基板上并暴露出接垫。

在本发明的一实施例中，高分子凸块配置于接垫上或同时跨越在接垫上与基板上。

在本发明的一实施例中，导电层有一个或多于一个，导电层覆盖在同一高分子凸块上并分别与对应的接垫电性连接。

在本发明的一实施例中，导电层有一个或多于一个，导电层覆盖在同一高分子凸块上并与同一接垫电性连接。

在本发明的一实施例中，位于高分子凸块上的导电层会与一个或多于一个的接垫电性连接。

在本发明的一实施例中，位于一个或多于一个的高分子凸块上的导电层均与同一接垫电性连接。

在本发明的一实施例中，接点结构还包括高分子保护层，位于基板上且至少暴露出高分子凸块以及接垫。