[发明专利]三通阀入口总成

说明书

技术领域

本发明涉及气体传输系统。本发明尤其涉及用于气体传 输系统的三通阀入口总成。 背景技术

传统的半导体蚀刻处理系统可具有气体源，经由气体供 应管线连接到气体源的气体传输系统，以及连接到气体传输系统的 处理等离子室。该气体传输系统进一步包括连接到气体供应管线的 气体棒。该气体棒是一系列气体分配和控制部件，如质量流量控制 器、一个或多个压力传感器和/或调节器、加热器、一个或多个过滤 器或净化器和截止阀。所使用的组件以及它们在气体棒中的特别布 置可依赖它们的设计和应用而变化。如图1所说明的，在通常的半 导体处理装置中，超过17个气体源经由气体供应管线106、歧管上 的气体分配组件、混合歧管连接到该室，这些通常都安装在框架或 基板上，形成完整的系统，称为“气体面板”或者“气体盒”。

传统的半导体蚀刻处理系统依赖于使用多个危险的和不 危险的处理气体以及以同步的方式仔细测量超过17种气体从该气 体源102经由气体供应管线106到该处理等离子室108的传输。这样 的系统通常需要气体传输系统来连通高纯度气体以用于半导体处 理系统或其他薄膜涂敷工艺。然而，在半导体制造中，半导体器件 的尺寸逐渐减小，容纳更多元件的空间逐渐减小。现有的气体面板 并不具备向气体面板增加额外组件和/或增加或去除单个气体棒的 灵活性。 发明内容

气体传输设备提供具有三通阀入口总成(TVIA)的气体 传输系统。该TVIA供给气体传输总成，该气体传输总成将三个功能 组件集成到一个单元中。在一个实施方式中，气体传输设备可具有 歧管体，该歧管体配置为建立流体流动路径；水平入口在第一侧连 接到该歧管体、与该流体流动路径流体连通，并且配置为接受工艺 气体；气动阀在第一端连接到该歧管体以防止对流体流动未经允许 的激活，该气动阀与该流体流动路径和水平入口流动连通；放气阀 连接到该歧管体、与该流体流动路径流体连通、靠近该气动阀设置； 以及垂直放气口在第一端连接到该歧管体，该垂直放气口设在该放 气阀和气动阀之间并在第二端具有净化气体输入/输出端口，其中该 水平入口垂直于该垂直放气口设置。

在另一个实施方式中，该气体传输设备可具有配置为建 立流体流动路径的歧管体；在第一端连接到该歧管体并配置为防止 对流体流动未经允许的激活的气动阀，该气动阀与该流体流动路径 流体连通；在该第一端附近连接到该气动阀并配置为接受供应气体 的水平入口；邻近该气动阀设置、连接到该歧管体并与该流体流动 路径流体连通的放气阀；以及在第一端连接到该歧管体的垂直放气 口，该垂直放气口设在该放气阀和气动阀之间并在第二端具有净化 气体输入/输出端口，其中该水平入口垂直于该垂直放气口设置。

这些和其他特征将在下面本发明详细说明和相关附图中 将更详细地呈现。 附图说明

并入以及构成这个说明书一部分的附图与该详细描述一 起说明一个或多个实施方式，用来解释本发明的原理和实现。

在这些附图中：

图1A和1B说明三通阀入口总成示例实施方式。

图2A和2B说明示例性的歧管体。

图3A-3C说明附加的测试端口的示例实施方式。

图4是用于半导体处理的示例性气体输送装置的示意图。 具体实施方式

现在将根据其如附图中说明的几个优选实施方式来详细 描述本发明。在下面的描述中，阐述了许多具体细节以提供对本发 明的彻底理解。然而，对于本领域的技术人员来说，显然，本发明 可不是用这些具体细节中的一些或者全部而实现。在其他情况下， 公知的工艺步骤和/或结构没有详细描述，以避免不必要的混淆本发 明。

本发明提供气体传输系统，其具有三通阀入口总成 (TVIA)，该总成可应用到真空耦合环(VCR)和集成气体系统 (IGS)气体传输系统。该TVIA提供气体传输总成，该总成将三个 功能组件集成到单一单元中。这提供更小尺寸的气体面板，其比当 前气体面板的制造成本低。该TVIA通过允许用户以最小的盲管段在 该混合和泵/清除歧管总成中增加和/或去除气体棒以及在气体棒上 几乎至完全不使用基板面(real estate)而留有更大的灵活性。