[发明专利]光掩模的检查方法、光掩模的制造方法、电子部件的制造方法、测试掩模及测试掩模组

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于检查电子部件的制造中所使用的光掩模的性能的光掩模的检查方法、包括基于该检查方法的检查工序的光掩模的制造方法、使用了由这种制造方法得到的光掩模的电子部件制造方法、以及可应用于所述光掩模的检查方法的测试掩模及测试掩模组。 

特别是，本发明涉及一种在以平板显示装置(FPD)为代表的显示装置制造用的光掩模的制造中、尤其在液晶显示装置制造例如在薄膜晶体管(TFT)制造、滤色板(CF)制造有用的光掩模的制造中所使用的检查方法等。 

背景技术

目前，关于光掩模的性能的检查，日本特开平5-249646号公报(专利文献1)公开了一种装置，其利用摄像元件(CCD)检测出作为检查对象的曝光用光掩模的透射照明光的强度分布从而检查光掩模的缺陷。在该装置中，使检查光聚焦于形成有0.3μm左右间距的微观图形的光掩模并进行照射，使穿过该光掩模的检查光进行放大照射，就能用分辨率7μm左右的CCD进行摄像。这种检查装置具有使摄像元件从焦点位置起偏移进行摄像的控制装置。据称，这种装置具有在包括实际曝光时的焦点偏移的影响的状态下能够检查光掩模并进行评价的效果。 

另外，日本特开平4-328548号公报(专利文献2)公开了一种检查装置，其可对由曝光装置实际转印于晶片的光掩模的缺陷及杂质进行检查。这种装置除了可由现有的检查装置检测出的缺陷及杂物之外，还可检测出相位移动掩模及分划板的透射部的移动件的缺陷、以及曝光波长依赖性的掩模基板部的缺陷等。 

但是，在使用如上所述的检查装置进行光掩模的检查时，若所使用的检查装置中的摄像时的条件与使用光掩模的实际曝光时的条件不匹配，则难以对检查结果准确地进行评价。 

另外，例如在使用用于IC制造的小型投影式曝光装置的情况下，由于在曝光装置中使用的光源是单波长光源，因而光源的分光特性、抗蚀膜的光谱灵敏度特性及摄像装置的光谱灵敏度特性等要素都不成问题。但是，在各种电子部件的制造工序，由于使用由光源的分光特性、抗蚀膜或者显影装置的光谱灵敏度特性等要素影响的曝光条件，因而利用现有的检查装置不能进行正确的检查。 

于是，本发明者们首先提出了一种检查方法及其使用的检查装置，其中，在对检查对象即光掩模照射规定波长的光束且利用摄像装置摄像穿过了该光掩模的光束进而求出光强度数据的光掩模的检查方法中，作为照射的光束至少包括g线、h线或者i线的一种，或者使用包括其中任意两种以上混和后的光束，且该光束介由波长选择过滤片照射到光掩模。 

在该检查方法中，可使用具有与使用光掩模进行实际曝光的曝光装置相同的分光特性的光源来对光掩模进行检查，进而实际曝光时的光透射量及析像力可在某种程度再现或者近似。 

因此，在该检查方法中，由使用了光掩模的实际曝光所形成的抗蚀图形或者以这种抗蚀图形为掩模对被加工层进行蚀刻所得到的被加工层图形是否良好，不进行实际的曝光及显影就可预测。另外，利用这种检查方法，不仅只判断光掩模是否良好，而且对光掩模是否需要修正进行判断、是否可修正、修正的方法等意见有一定把握。 

但是，在该检查方法中，有时难以完全反应出用于实际曝光的曝光装置的曝光条件、即光源的分光特性及析像力等。另外，形成抗蚀膜的抗蚀材料的光谱灵敏性及为了取得透射光的数据而使用的摄像装置(CCD等)的光谱灵敏度特性等起因于曝光装置以外的主要原因，还有条件匹配的困难。 

发明内容

因此，本发明提供一种光掩模的检查方法，对作为检查对象的光掩模照射规定波长的光束，利用摄像装置摄像穿过该光掩模的光束进而求出光强度数据，该检查方法中，与实际曝光的曝光装置的条件匹配良好地进行 并且实际曝光条件及其它条件的相关可定量掌握；再有，提供一种包括用这种检查方法进行的检查工序的光掩模的制造方法；提供一种使用由这种制造方法得到的光掩模的电子部件制造方法，另外，还提供一种应用于这种光掩模的检查方法的测试掩模及测试掩模组。 

为了解决上述课题、实现上述目的，本发明者们锐意研究的结果取得下述发现，即，居于在所述检查方法执行中所使用的检查装置(模拟器)与进行实际曝光的曝光装置之间，或者，使用用于提供检查装置可设定适合检查的条件的想法的测试掩模是有用的。 

即，本发明的光掩模的检查方法通常具有下述的构成之一。 

构成1