[发明专利]聚合物薄膜中的自对准通孔的制造有效

专利信息
申请号: 200810100032.3 申请日: 2008-06-03
公开(公告)号: CN101330130A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: S·莫哈帕特拉;K·迪姆勒;P·H·詹金斯 申请(专利权)人: 惠好公司
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40;H01L21/28;H01L21/768
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 邬少俊;王英
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 聚合物 薄膜 中的 对准 制造
【权利要求书】:

1.一种在电介质层中制造自对准通孔的方法,所述通孔在所述电介质层上面的第一导电层和所述电介质层下面的第二导电层之间提供电接触,所述方法包括以下步骤:

(a)提供与所述第二导电层电连通的由导电材料构成的柱;

(b)沉积所述电介质层以覆盖所述柱和所述第二导电层的至少一部分;

(c)除去所述电介质层在所述柱的正上方的部分;以及

(d)在所述电介质层和所述柱上沉积所述第一导电层。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括制造顶栅极有机晶体管,其中所述第一导电层用作所述晶体管的源极/漏极,并且所述第二导电层用作所述晶体管的栅极。

3.根据权利要求1所述的方法,还包括制造底栅极有机晶体管,其中所述第一导电层用作所述晶体管的栅极,并且所述第二导电层用作所述晶体管的源极/漏极。

4.根据权利要求1所述的方法,其中沉积所述电介质层而不图案化。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述柱的材料是通过印刷方法设置的流体。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述柱的材料是通过喷墨印刷、苯胺印刷、凹版印刷或丝网印刷设置的流体。

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述电介质覆盖所述柱的顶部。

8.根据权利要求1所述的方法,其中所述电介质的高度小于所述柱的高度。

9.根据权利要求1所述的方法,其中除去所述柱的正上方的电介质层包括通过在沉积所述第二导电层之前对所述柱进行闪光退火来除去所述柱的顶部上的电介质层。

10.根据权利要求1所述的方法,除去所述柱的正上方的电介质层包括通过在沉积所述第二导电层之前对所述柱进行热退火来除去所述柱的顶部上的电介质层。

11.根据权利要求1所述的方法,还包括通过使用亲水性柱材料来除去所述柱的顶部上的疏水性电介质材料。

12.根据权利要求1所述的方法,还包括通过使用疏水性柱材料来除去所述柱的顶部上的亲水性电介质材料。

13.根据权利要求1所述的方法,还包括利用牺牲聚合物覆盖每一个柱。

14.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一导电层包括第一金属层,所述第二导电层包括第二金属层,每一个柱包括油墨柱,并且通过在每个通孔的位置形成柱以在所述电介质层上面的第一导电层和所述电介质层下面的第二导电层之间提供电接触包括:

在衬底上沉积所述第一金属层;

在所述第一金属层上形成多个所述油墨柱;

在所述多个油墨柱之上形成所述电介质层;

对所述电介质层进行退火以暴露所述油墨柱的顶表面;以及

在所述电介质层之上沉积所述第二金属层,以提供从所述第二金属层穿过退火过的油墨柱通孔到达所述第一金属层的导电路径。

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