[发明专利]制造记忆体的方法、记忆装置及操作存取记忆装置的方法

权利要求书

1.一种制造记忆体的方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基板；

在该基板之上形成一电荷储存层，该电荷储存层与该基板直接接触；

在该电荷储存层之上形成一绝缘层；以及

在该绝缘层之上形成一多晶硅层，

其中，所述的形成该电荷储存层包含由硅丰氮化物、硅丰氮氧化硅、硅丰氧化硅、锗丰氮化锗、锗丰氧化锗及锗丰氮氧化锗之一所形成。

2.根据权利要求1所述的制造记忆体的方法，其特征在于其中所述的电荷储存层储存n个位元，而n是一整数，该电荷储存层藉由施加一电压来设定或重置该记忆体的临界电压Vt至2ⁿ个电平之一，来捕捉注射出的电荷载子。

3.根据权利要求1所述的制造记忆体的方法，其特征在于其中所述的多晶硅层是做为一控制栅极之用。

4.根据权利要求1所述的制造记忆体的方法，其特征在于其中所述的绝缘层是做为防止电荷由该电荷储存层流失之用。

5.根据权利要求1所述的制造记忆体的方法，其特征在于其中所述的形成该绝缘层包含由二氧化硅、氮化硅、氧化铝及氧化铪之一层所形成。

6.一种记忆装置，其特征在于其包含：

一电荷储存层，形成于一导电性材料的基板之上，并与导电性材料直接接触；

一绝缘层，形成于该电荷储存层之上；以及

一多晶硅层，形成于该绝缘层之上，

其中，所述的电荷储存层包含硅丰氮化物、硅丰氮氧化硅、硅丰氧化硅、锗丰氮化锗、锗丰氧化锗及锗丰氮氧化锗之一。

7.根据权利要求6所述的记忆装置，其特征在于其中所述的电荷储存层储存n个位元，而n是一整数，该电荷储存层藉由施加一电压来设定或重置该记忆装置的临界电压Vt至2ⁿ个电平之一，来捕捉注射出的电荷载子。

8.根据权利要求6所述的记忆装置，其特征在于其中所述的多晶硅层是做为一控制栅极之用。

9.根据权利要求6所述的记忆装置，其特征在于其中所述的绝缘层是做为防止电荷由该电荷储存层流失之用。

10.根据权利要求6所述的记忆装置，其特征在于其中所述的绝缘层包含二氧化硅、氮化硅、氧化铝及氧化铪之一。

11.一种操作存取记忆装置的方法，该记忆装置包含一基板；一电荷储存层，形成于该基板之上与该基板直接接触；一绝缘层，形成于该电荷储存层之上；以及一多晶硅层，形成于该绝缘层之上；该电荷储存层中储存n个位元，而n是一整数，该电荷储存层藉由施加一第一电压至该控制栅极来设定或重置该记忆装置的临界电压Vt至2ⁿ个电平之一，来捕捉注射出的电荷载子，而该记忆单元被一多晶硅控制栅极所控制，其特征在于该操作存取记忆装置的方法包括以下步骤：

藉由施加该第一电压至该控制栅极，电子由该漏极区域被注射至该电荷储存层以被捕捉，以此来写入该记忆单元至代表复数位元之一的第一电平，该第一电平为2ⁿ复数个电平之一；以及

经过一段时间后更新该记忆单元，来重新写入该记忆单元至该第一电平。

12.根据权利要求11所述的操作存取记忆装置的方法，其特征在于其更包含：藉由施加一第二电压至该控制栅极，空穴由该漏极区域被注射至该电荷储存层以被捕捉，以此来擦除该记忆单元至代表该记忆单元的一擦除状态的一第二电平，该第二电平为2ⁿ复数个电平之一。

13.根据权利要求12所述的操作存取记忆装置的方法，其特征在于其中所述的擦除该记忆单元发生于重新写入该记忆单元之前。

14.根据权利要求12所述的操作存取记忆装置的方法，其特征在于其中所述的擦除该记忆单元发生于重新写入该记忆单元之后以储存新的n个位元。

15.根据权利要求14所述的操作存取记忆装置的方法，其特征在于其更包含：藉由施加一第三电压至该控制栅极，电子由该漏极区域被注射至该电荷储存层以被捕捉，以此来写入该记忆单元至代表n个位元的一第三电平，该第三电平为2ⁿ复数个电平之一。