[发明专利]TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板结构，包括形成在基板上的栅线和数据线，所 述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极，并在交叉处形成薄膜晶体 管，所述薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极层和钝化层， 其特征在于，还包括间断设置在所述数据线之间且与所述像素电极形成存储 电容的公共电极线，所述公共电极线与所述源漏电极层同层设置，并且所述 公共电极线通过第二钝化层过孔和连接电极相互连接。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，所述第 二钝化层过孔开设在所述公共电极线靠近数据线的端部位置上的钝化层，所述 连接电极形成在所述钝化层上，并通过所述第二钝化层过孔使相邻的公共电极 线相互连接。

3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，还包括 与所述数据线平行设置的挡光条，所述挡光条与所述栅线同层设置，或所述 挡光条与所述公共电极线同层设置。

4.根据权利要求1～3中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板结构， 其特征在于，所述公共电极线设置在相邻二栅线之间。

5.根据权利要求1～3中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板结构， 其特征在于，所述公共电极线设置所述栅线之上。

6.一种TFT-LCD阵列基板结构制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺形成栅电极和栅线图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘层，并形成有源层、漏电极、源 电极、数据线和公共电极线图形，其中公共电极线间断形成在二个数据线之间；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在漏电极位置形 成第一钝化层过孔，在公共电极线靠近数据线的端部位置形成第二钝化层过孔；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺在像素 区域形成像素电极图形和在公共电极线的端部区域形成连接电极图形，使像 素电极通过第一钝化层过孔与漏电极连接，使连接电极通过第二钝化层过孔 将相邻的公共电极线相互连接。

7.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板结构制造方法，其特征在于， 所述步骤2具体为：

步骤21、在完成步骤1的基板上连续沉积栅绝缘层和有源层，通过构图 工艺形成有源层图形；

步骤22、在完成步骤21的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺形成 漏电极、源电极、数据线和公共电极线图形，其中公共电极线间断形成在二 个数据线之间。

8.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板结构制造方法，其特征在于， 所述步骤2具体为：在完成步骤1的基板上连续沉积栅绝缘层、有源层和源 漏金属层，通过半色调或半透过构图工艺形成有源层、漏电极、源电极、数 据线和公共电极线图形，其中公共电极线间断形成在二个数据线之间。

9.根据权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板结构制造方法，其特征在于， 所述步骤22具体为：在完成步骤21的基板上沉积源漏金属层，通过构图工 艺形成漏电极、源电极、数据线、公共电极线和挡光条图形，其中公共电极 线间断形成在二个数据线之间，挡光条平行设置在数据线的一侧或二侧。

10.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板结构制造方法，其特征在 于，所述步骤1具体为：在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺形成栅电极、 栅线和挡光条图形。

11.根据权利要求6～9中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板结构 制造方法，其特征在于，所述公共电极线间断形成在二个数据线之间具体为： 所述公共电极线间断形成在二个数据线之间并位于相邻二栅线之间。

12.根据权利要求6～9中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板结构 制造方法，其特征在于，所述公共电极线间断形成在二个数据线之间具体为： 所述公共电极线间断形成在二个数据线之间并位于所述栅线之上。