[发明专利]TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法，尤其是一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构及其制造方法。 

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)阵列基板和彩膜基板对盒形成，具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前平板显示器市场占据了主导地位。 

图11a为现有技术TFT-LCD阵列基板结构的平面图，图11b为图11a中J-J向剖面图。如图11a、图11b所示，现有技术TFT-LCD阵列基板结构包括栅线2b、公共电极线2c和数据线5c，栅线2b和数据线5c限定了像素区域，并在交叉处形成TFT，TFT包括与栅线2b连接的栅电极2a、作为开关导电介质的有源层4和形成TFT沟道的漏电极5a和源电极5b，源电极5b与数据线5c连接，漏电极5a与像素电极7连接，公共电极线2c与栅线2b平行，并位于相邻二个栅线2b之间。具体地，栅电极2a形成在基板1上，栅绝缘层3形成在具有栅电极图案的整个基板1上，有源层4(包括半导体层和掺杂半导体层)形成在栅电极2a上，形成TFT沟道的漏电极5a和源电极5b形成在有源层4上，钝化层6形成在漏电极5a和源电极5b上，并在漏电极5a位置开设有第一钝化层过孔6a，像素电极7形成在像素区域内，并通过第一钝化层过孔6a与漏电极5a连接。现有技术TFT-LCD阵列基板结构的制备过程包括：形成栅电极、栅线和公共电极线图形；形成栅绝缘层和有源层；形成源电极、漏电极和数据线；形成钝化层；形成像素电极。每一步骤都包括薄膜沉积、曝光和图案形成、刻蚀等三个主要工艺。 

存储电容是阵列基板结构设计中非常重要的一个参数，其作用主要是为了让像素电极完成充电，使像素电极能保持到下一次更新画面，因此存储电容的大小不仅影响像素的正常工作，而且对TFT-LCD的整个显示品质有重要的影响。目前通常是利用像素电极与栅线或公共电极线来形成平行板电容，即存储电容在栅线上(Cst on Gate)和存储电容在公共电极线上(Cst on Common)两种结构。 

存储电容的这两种结构分别有各自的优点和缺点。对于存储电容在栅线上结构，由于将存储电容设计在栅线上，因此TFT-LCD有较高的开口率，但该存储电容反过来会增大栅线上的RC延迟，进而降低TFT的充电率，影响显示品质。对于存储电容在公共电极线上结构，由于是利用像素电极与公共电极线来形成平行板电容，因而不会影响栅线上的RC延迟，但由于公共电极线和栅线是在同一次构图工艺中形成，因此公共电极线和像素电极间的垂直距离为栅绝缘层和钝化层的厚度总和，由于板间距离较大，为了保证存储电容的大小，一般需要增大公共电极线的面积(宽度)，但这样会显著降低TFT-LCD的开口率。同时，由于公共电极线周围会形成较大的段差(等于栅金属层的厚度)，因此还会影响液晶分子的取向，降低了TFT-LCD的对比度。 

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法，有效解决现有TFT-LCD中公共电极线结构存在的存储电容小、降低开口率及形成较大段差等技术缺陷。 

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板结构，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极，并在交叉处形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极层和钝化层，还包括间断设置在所述数据线之间且与所述像素电极形成存储电容的公共电极线，所述公共电极线与所述源漏电极层同层设置，所述公共电极线靠近所述数据线的端部位置上的钝化层上开设有第二钝化层过孔，连接电极形成在所述钝化层上，所述连接电极通过所述第二钝化层过孔与所述公共电极线连接，且通过两个相邻的所述第二钝化层过孔使相邻的所述公共电极线相互连接。 

在上述技术方案基础上，所述公共电极线可以设置在相邻二栅线之间，也可以设置所述栅线之上。 

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板结构制造方法，包括： 

步骤1、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺形成栅电极和栅线图形； 

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘层，并形成有源层、漏电极、源电极、数据线和公共电极线图形，其中公共电极线间断形成在二个数据线之间； 

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在漏电极位置形成第一钝化层过孔，在公共电极线靠近数据线的端部位置形成第二钝化层过孔；