[发明专利]彩膜基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810101459.5 申请日: 2008-03-06
公开(公告)号: CN101526685A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 崔承镇 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G03F7/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘 芳
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 彩膜基板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种彩膜基板,用于与阵列基板对盒形成液晶显示装置LCD,包括基板和形成在所述基板内表面上的彩膜层,其特征在于,所述基板外表面上设置有用于分散外部入射光的黑矩阵。

2.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述黑矩阵的表面为能形成表面漫反射的凹形、凸形或凹凸形的曲率表面。

3.根据权利要求2所述的彩膜基板,其特征在于,所述曲率表面包括至少二个凹形。

4.根据权利要求3所述的彩膜基板,其特征在于,所述凹形为半圆形。

5.根据权利要求1~4中任一权利要求所述的彩膜基板,其特征在于,所述黑矩阵的材料为金属。

6.根据权利要求5所述的彩膜基板,其特征在于,所述金属为铬。

7.一种彩膜基板制造方法,所述彩膜基板用于与阵列基板对盒形成液晶显示装置LCD,其特征在于,所述方法包括:

步骤1、在基板的外表面上沉积一层金属层;

步骤2、在完成步骤1的基板上涂敷一层光刻胶;

步骤3、在完成步骤2的基板上采用灰色调掩模板曝光并进行显影处理,形成完全曝光区域、部分曝光区域和未曝光区域;

步骤4、在完成步骤3的基板上采用第一次湿刻工艺将完全曝光区域的金属层刻蚀掉,形成黑矩阵图形;

步骤5、在完成步骤4的基板上采用光刻胶灰化工艺将部分曝光区域的光刻胶去掉;

步骤6、在完成步骤5的基板上利用蚀刻不足的第二次湿刻工艺将部分曝光区域的金属层表面刻蚀出凹凸形结构;

步骤7、在完成步骤6的基板上剥离剩余的光刻胶,在基板上形成具有曲率表面的黑矩阵。

8.根据权利要求7所述的彩膜基板制造方法,其特征在于,还包括在基板的内表面上形成彩膜层的步骤。

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