[发明专利]LCD基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器制造方法，尤其是一种LCD基板的制造方法。

背景技术

在平板显示装置中，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。以薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，简称TFT-LCD)为例，TFT-LCD是由阵列基板和彩膜基板对盒形成的，其中阵列基板目前比较普遍的是采用主流的5次掩模(5mask)或4次掩模(4mask)工艺制造。以5次掩模工艺为例，其主要工艺分为五个步骤，分别为：形成栅极及其栅线、形成栅绝缘层和半导体层、形成源漏电极层以及数据线、形成钝化层、形成像素电极，而每一步骤的图案都是通过传统光刻工艺实现的。

目前，传统光刻工艺包括清洗、沉积膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等过程，这些步骤对TFT-LCD阵列基板上各图案的形成起着重要影响。其中，清洗是对基板进行清洗，以去除玻璃基板上的不良颗粒或有机物；沉积膜是指沉积金属薄膜(栅极、数据线或像素电极)和非金属薄膜(栅绝缘层、半导体层或钝化层)；曝光是采用紫外光通过掩模板照射在光刻胶上，将光刻胶感光，显影是通过显影液将感光部分的光刻胶去除掉，从而形成所需要的阵列图案；刻蚀是通过湿刻和干刻工艺蚀刻出所需的阵列图案；剥离是去除阵列图案上的光刻胶。

图7a～图7e为传统光刻工艺的示意图，以在基板上形成栅电极为例简单说明传统光刻工艺的操作过程。首先在基板1上沉积一层金属薄膜11，然后在金属薄膜11上涂敷一层光刻胶20(如图7a所示)；之后采用掩模板通过紫外光30曝光(如图7b所示)；显影后只在栅电极位置保留光刻胶图案(如图7c所示)；之后通过刻蚀工艺去除光刻胶图案以外区域的金属薄膜(如图7d所示)；最后剥离剩余的光刻胶，形成栅电极2图案(如图7e所示)。现有掩模板结构是通过在基板上形成足够精细的图形，使得紫外光照射掩模板后，紫外光透过部分会将光刻胶感光，接着在显影工序将感光部分的光刻胶给去除掉，形成需要的图案。掩模板的掩模图案是透明模、半透明模、孔状或其它结构。

实际生产过程中，由于传统光刻工艺涉及的生产单元较多，设备(如曝光设备、显影设备、湿刻设备、剥离设备等)采购成本高，维护费用高，因此提高了阵列基板的制造成本，并且由于传统光刻工艺涉及的工序多、时间长，不可避免地会有一些空气中的浮游性颗粒落在基板上，造成基板不良，进一步提高了基板的制造成本。

发明内容

本发明的目的是提供一种LCD基板的制造方法，具有生产单元少、工序少、时间短等特点，有效降低生产成本。

为了实现上述目的，本发明提供了一种LCD基板的制造方法，包括：

步骤10、将掩模板与基板贴合在一起；

步骤20、在完成步骤10的基板上沉积薄膜；

步骤30、在完成步骤20的基板上移开所述掩模板，在所述基板上形成薄膜图形。

所述步骤10具体为：将形状和大小与所述基板相同的掩模板紧密压合在所述基板上，通过对位标记使所述掩模板和基板严格对位。

所述步骤20可以具体为：在完成步骤10的基板上以100℃～250℃的沉积温度沉积金属薄膜，也可以具体为：在完成步骤10的基板上以150℃～350℃的沉积温度沉积非金属薄膜。

在上述技术方案基础上，所述掩模板的厚度为5μm～50μm。进一步地，所述掩模板上图案的边缘具有30°～60°的坡度角。

在上述技术方案基础上，所述掩模板由抗氧化、耐高温、耐腐蚀的材料制成。进一步地，所述掩模板可以由人造云母或聚四氟乙烯材料制成，也可以由聚醚酮复合材料或炭纳米管复合材料制成。

本发明提出了一种LCD基板的制造方法，针对传统光刻工艺中流程多、设备昂贵、制造成本高等技术缺陷，提出了一种全新的薄膜工艺，将传统光刻工艺的清洗、沉积膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等步骤简化为清洗、成膜、少量干刻等步骤，不再使用传统光刻工艺中的曝光、显影、刻蚀和剥离单元，最大限度地简化了制造设备和工艺，缩短了工艺时间，提高了产能，由于工序少，有效避免了基板受空气中浮游性颗粒影响导致的不良，由于不再使用传统光刻工艺中的曝光和显影单元，节省了设备投资，降低了设备维护费用，最大限度地降低了生产成本。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明