[发明专利]一种制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法

权利要求书

1、一种制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法，其特征在于，该方法包括：

A、在衬底上生长SiO₂介质层，涂胶、前烘，RIE打底胶，采用十字或凹槽版对衬底进行光刻；

B、将ZnO纳米线从原衬底上剥离，滴到场效应晶体管衬底上进行沉积，利用ZnO纳米线作为场效应晶体管的沟道；

C、涂胶，进行源漏制备，蒸发金属Ti/Au与ZnO纳米线形成欧姆接触电极；

D、采用溅射Al₂O₃后光刻胶剥离的方法形成栅氧；

E、光刻栅条形成栅极。

2、根据权利要求1所述的制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法，其特征在于，步骤A中所述衬底为P型Si衬底，所述SiO₂介质层的厚度为2000至4000A；所述涂胶为涂正胶5214，3500转/分，涂1.6μm；所述前烘为在100℃下烘60秒。

3、根据权利要求1所述的制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法，其特征在于，所述步骤B包括：

将生长有ZnO纳米线的衬底放入乙醇中进行超声波降解，降解后ZnO纳米线大部分从衬底脱离并分散到乙醇溶液中，采用滴管将ZnO纳米线滴到场效应晶体管衬底上，采用凹槽或十字两种衬底制作方式将纳米线沉积到衬底上进行定位，利用ZnO纳米线作为场效应晶体管的沟道。

4、根据权利要求1所述的制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法，其特征在于，所述步骤C包括：

涂一层光刻胶5214，2500转/分，涂1.9μm，进行源漏制备，蒸发Ti(300A)/Au(1000A)与ZnO纳米线形成欧姆接触电极，其中，Ti的厚度为300A，Au的厚度为1000A。

5、根据权利要求1所述的制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法，其特征在于，所述步骤D包括：

涂5214反转胶，3500r/min，1.6μm，光刻，反转60s，泛曝20s，显影55s，观测栅线条清晰，直接溅射20nmAl₂O₃，常规丙酮剥离形成栅氧。

6、根据权利要求1所述的制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法，其特征在于，所述步骤E包括：

涂AZ5214胶，4000转/分，60秒，1.4μm，热板95℃，烘90秒，栅极阳版光刻，显影，蒸发Ti/Au形成栅极金属，其中，Ti的厚度为300A，Au的厚度为1000A。