[发明专利]半透明半反射式液晶显示器阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种半透明半反射式液晶显示器阵列基板，包括透明区和反射区；其特征在于：所述阵列基板包括：

一衬底；

栅电极，形成于所述衬底之上；

栅极绝缘层，形成于在所述栅电极以及所述衬底之上；

有源层形成于栅电极上方的栅极绝缘层上，浮凸层形成于所述反射区内的栅极绝缘层上，所述有源层与所述浮凸层的材料相同；

源电极和漏电极形成于所述有源层上方，呈凹凸结构的反射层形成于所述浮凸层上方；

钝化层形成于所述反射层、源电极、漏电极以及栅极绝缘层上，所述漏电极上方的钝化层上形成有钝化层过孔或沟槽；

像素电极层形成在所述钝化层上，所述像素电极层通过所述钝化层过孔或沟槽与所述漏电极相连接。

2.根据权利要求1所述的半透明半反射式液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述浮凸层包括多个呈列状或岛状排列的浮凸单元。

3.根据权利要求2所述的半透明半反射式液晶显示器阵列基板，其特征在于：所述呈岛状排列的浮凸单元为圆台形、棱台形和球冠形其中的一种或多种的组合。

4.根据权利要求2或3所述的半透明半反射式液晶显示器阵列基板，其特征在于：所述呈岛状排列的浮凸单元的尺寸大小不相同。

5.根据权利要求2或3所述的半透明半反射式液晶显示器阵列基板，其特征在于：所述浮凸单元侧面的坡度角为25°～50°。

6.根据权利要求2或3所述的半透明半反射式液晶显示器阵列基板，其特征在于：所述浮凸单元侧面的坡度角为30°。

7.根据权利要求1或2或3所述的半透明半反射式液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述反射层由具备反射性的金属材料制成。

8.根据权利要求7所述的半透明半反射式液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述具备反射性的金属材料包括铝、铝合金、钼、钼合金或钛。

9.根据权利要求1所述的半透明半反射式液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述有源层和浮凸层的材料为非晶硅半导体和掺杂非晶硅半导体其中的一种或者两者的组合。

10.一种半透明半反射式液晶显示器阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括透明区和反射区，其特征在于：包括步骤：

在衬底上沉积金属薄膜，通过构图工艺，在所述衬底上形成栅电极；

在所述形成栅电极的衬底上沉积栅极绝缘层薄膜，形成栅极绝缘层；

在所述栅电极上方的所述栅极绝缘层上形成有源层，在所述反射区内的栅极绝缘层上形成浮凸层，所述有源层与所述浮凸层的材料相同；

在所述有源层上方形成源电极和漏电极，在所述浮凸层上方形成呈凹凸结构的反射层；

在完成上述步骤的所述衬底上沉积钝化层薄膜，形成钝化层，在所述漏电极上方的钝化层上形成钝化层过孔或沟槽；

在完成上述步骤的所述衬底上沉积像素电极薄膜，形成与所述漏电极通过钝化层过孔或沟槽接触的像素电极层。

11.根据权利要求10所述的半透明半反射式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：

在所述栅电极上方的所述栅极绝缘层上形成有源层，在所述反射区内的栅极绝缘层上形成浮凸层的步骤包括：

在所述栅极绝缘层上涂覆非晶硅半导体和掺杂非晶硅半导体薄膜；

通过构图工艺，使所述栅电极上方的非晶硅半导体和掺杂非晶硅半导体薄膜形成有源层；使所述反射区内的非晶硅半导体和掺杂非晶硅半导体薄膜形成浮凸层。

12.根据权利要求11所述的半透明半反射式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：所述浮凸层包括多个呈列状或岛状排列的浮凸单元，所述呈岛状排列的浮凸单元为圆台形、棱台形和球冠形其中的一种或多种的组合。

13.根据权利要求12所述的半透明半反射式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：所述浮凸单元侧面的坡度角为25°～50°。