[发明专利]去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法有效
| 申请号： | 200810103788.3 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101556439A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 宋勇志 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36;G02F1/1337;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 模拟 基板上 聚酰亚胺 方法 | ||
1.一种去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，其特征在于，包括：
步骤1、在设定的特征参数下，利用一组气体与模拟基板上聚酰亚胺膜 发生第一次反应；
步骤2、在设定的特征参数下，利用氧气的等离子体与所述第一次反应 后的残余物发生第二次反应；
所述设定的特征参数包括高频电源功率、压力以及气体流量；
且所述步骤2中所述设定的特征参数中高频电源功率为800瓦至3000 瓦，所述步骤2中所述设定的特征参数中压力为1100mTorr，所述步骤2中 所述设定的特征参数中气体流量为3000sccm。
2.根据权利要求1所述的去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，其特征在 于，所述步骤2之前还包括：根据结束点探测模式确定所述第一次反应的时 间；
所述步骤2具体包括：当所述第一次反应的时间到达时，在设定的特征 参数下，利用氧气的等离子体与所述残余物发生第二次反应。
3.根据权利要求1所述的去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，其特征在 于，所述步骤2还包括：利用所述氧气的等离子体去除模拟基板上的静电。
4.根据权利要求1所述的去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，其特征在 于，所述步骤1具体包括：在设定的特征参数下，利用氦气、氧气、六氟化 硫的任意比例组合与模拟基板上聚酰亚胺膜发生第一次反应。
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