[发明专利]去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器制造领域，尤其涉及一种利用氧气的等离子体去 除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法。

背景技术

液晶单元的制作是液晶显示器制造过程中重要的一步，其制作过程包括 聚酰亚胺(polyimide，以下简称：PI)膜涂覆、PI膜烘烤、PI膜配向等， 其中PI膜是确保液晶分子按要求取向并形成一定预倾角的功能性膜层。其 中，在PI膜涂覆和PI膜配向的过程中，由于工艺的要求必须提前进行工程 状态模拟，以保证在实际生产过程中PI膜涂覆厚度的均一性和PI膜配向后 特性的一致。在工程状态模拟中，需要使用模拟基板，并在模拟基板表面沉 积一层氧化铟锡(ITO)，再进行PI膜涂覆，因使用的模拟基板数量大，必 须对模拟基板上的PI膜层进行去除化工程，去除掉模拟基板上的PI膜，这 样可以反复利用模拟基板进行工程状态模拟，以达到降低成本的目的。

在工程状态模拟中，通常使用等离子体(plasma)对模拟基板上的PI 膜进行干法去除化工程，去除掉模拟基板上的PI膜。通常plasma与PI膜 发生二次反应来达到去除掉模拟基板上的PI膜的目的，第一次反应为以化 学反应为主的反应，第二次反应为以物理反应为主的反应，其中第二次反应 用于去除第一次反应后的残余物，达到清洗模拟基板的目的。在第二次反应 中选用的plasma通常为氦气(He)plasma。图1为现有技术中He plasma 与PI膜发生物理反应的示意图，如图1所示，He plasma3与ITO层1上第 一次反应的残余物发生反应，该残余物主要为残余的PI膜，也包括少量的 第一次反应时生成的其他物质，其反应方式是以物理方式撞击PI膜，由于 He plasma3动能较高，因此在与PI膜撞击时力量比较集中，这样He plasma3 在与PI膜2反应后到达ITO层1动能也较高，会破坏ITO层1，使ITO层1 发生龟裂产生碎片，从而降低了模拟基板的重复利用率，并且缩短了模拟基 板的使用寿命。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种去除模拟基板上聚酰亚 胺膜的方法，从而提高模拟基板的重复利用率，延长模拟基板使用寿命。

为实现上述目的，本发明提供了一种去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法， 包括：步骤1、在设定的特征参数下，利用一组气体与模拟基板上聚酰亚胺 膜发生第一次反应；步骤2、在设定的特征参数下，利用氧气的等离子体与 所述第一次反应后的残余物发生第二次反应；所述设定的特征参数包括高频 电源功率、压力以及气体流量。

所述步骤2之前还包括：根据结束点探测模式确定所述第一次反应的时 间；所述步骤2具体包括：当所述第一次反应的时间到达时，在设定的特征 参数下，利用氧气的等离子体与所述残余物发生第二次反应。

所述步骤2还包括：利用所述氧气的等离子体去除模拟基板上的静电。

所述步骤2中所述设定的特征参数中高频电源功率为800瓦至3000瓦。

所述步骤2中所述设定的特征参数中压力为450mTorr至1100mTorr。

所述步骤2中所述设定的特征参数中气体流量为800sccm至3000sccm。

所述步骤1具体包括：在设定的特征参数下，利用氦气、氧气、六氟化 硫的任意比例组合与模拟基板上聚酰亚胺膜发生第一次反应。

由上述技术方案可知，本发明去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法中，选 用O₂ plasma与模拟基板上的第一次反应后的残余物发生第二次反应，不仅 能完全去除残余物，而且不破坏模拟基板上的ITO层，防止ITO层龟裂产生 碎片，同时还可有效去除模拟基板上的静电，防止模拟基板移动时发生破碎， 从而提高了模拟基板的重复利用率，延长了模拟基板使用寿命，节约了制造 成本。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为现有技术中He plasma与PI膜发生物理反应的示意图；

图2为本发明去除模拟基板上PI膜的方法实施例的流程图；

图3为本发明去除模拟基板上PI膜的方法实施例中O₂ plasma与PI膜 发生物理反应的示意图。

附图标记说明

1-ITO层；    2-PI膜；

3-He plasma；4-O₂ plasma。