[发明专利]液晶显示器的阵列基板及其制造方法、维修方法有效

专利信息
申请号: 200810103976.6 申请日: 2008-04-14
公开(公告)号: CN101561598A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 张弥 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/13;H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 代理人: 申 健
地址: 100176北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示器 阵列 及其 制造 方法 维修
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示器技术领域,具体涉及一种液晶显示器的阵列基板及其制造方法、维修方法。

背景技术

近年来,随着液晶显示技术的不断发展,液晶显示器已经广泛地应用于个人数码助理PDA(Personal Digital Assistant)、移动电话、掌上游戏机PSP(Play Station Portable)以及户外电视等各个领域,尤其是薄膜晶体管液晶显示器TFT LCD(Thin film transistor Liquid Crystal Display)由于具有功耗低、辐射小的优点,已经在平板显示器市场占据了主导地位。

液晶显示器由液晶显示屏、背光源及驱动电路三大核心部件组成。液晶显示屏包括对盒而成的阵列基板和彩膜基板以及液晶,液晶填充在阵列基板和彩膜基板之间的间隙内。

如图1和图3所示,现有的液晶显示器阵列基板,包括一组栅极扫描线1和与之垂直的一组数据扫描线5,相邻的一条栅极扫描线1和一条数据扫描线5定义了一个像素区域。每个像素区域包含有一个TFT(Thin film transistor,薄膜晶体管)开关器件、像素电极10和部分公共电极引线11,TFT器件由栅电极2、栅电极绝缘层、有源层3、源电极6以及漏电极7组成,源电极6和漏电极7分别与有源层3的两端电连接;钝化层8覆盖在TFT器件上,并在漏电极7上方的钝化层8上形成漏电极过孔或沟槽92,像素电极10通过漏电极过孔或沟槽92与TFT器件的漏电极7电连接。为了进一步降低对盒后像素里的漏光,在每个像素区域平行于数据扫描线5的两侧形成挡光条12。

如图2所示,当数据扫描线5发生断裂时,采用如下的维修方法:

检测阵列基板上各数据扫描线5,找出断裂的数据扫描线5所在的像素区域;在数据扫描线5断裂处的两端确定维修点9的位置,并在维修点9处的钝化层8和数据扫描线5上打上连接孔;

在数据扫描线5断裂处的两端的连接孔上沉积可导电的维修线13。

沉积在数据扫描线5上的可导电的维修线13可以与数据扫描线5连接孔的内壁表面接触而形成电连接,所以通过可导电的维修线13将数据扫描线5断裂处的两端重新电连接起来,达到了维修断裂的数据扫描线的目的。

现有技术的维修方法,虽然一定程度上能够实现对断裂的数据扫描线重新连接,但是由于连接孔内壁的表面积比较小,所以与可导电的维修线的接触面积也比较小,维修后易出现连接不稳定或者未连接上的现象,从而导致维修失败,所以维修成功率较低。

本发明实施例提供了一种液晶显示器的阵列基板,能够使数据扫描线维修更方便、维修成功率更高。

发明内容

为达到上述目的,本发明实施例采用如下技术方案:

该液晶显示器的阵列基板,包括:多条栅极扫描线和多条数据扫描线,所述栅极扫描线和所述数据扫描线交叉形成多个像素区域,所述像素区域包括至少一薄膜晶体管、一像素电极、一连接电极,所述数据扫描线上形成有钝化层,所述钝化层形成有数据扫描线过孔或沟槽;所述连接电极通过所述数据扫描线过孔或沟槽与所述数据扫描线电连接。

与现有技术相比,本发明中连接电极与数据扫描线形成了可靠的电连接,在维修断裂的数据扫描线时,不需要打孔,只需将可导电的维修线沉积在连接电极上,可导电的维修线与连接电极的接触面积可根据需要制作的比现有技术中维修断裂的数据扫描线时所打的连接孔的内壁表面积大的多,所以间接的增大了可导电的维修线与数据扫描线的接触面积;由于电连接中接触面积越大,连接的可靠性和稳定性越好,维修成功率也越高,所以本发明能够使数据扫描线维修更方便、维修成功率更高。

本发明实施例还提供了一种液晶显示器的阵列基板的制造方法,能制造出数据扫描线维修更方便、维修成功率更高的阵列基板。

为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:

该液晶显示器的阵列基板的制造方法,包括以下步骤:

在完成上述步骤的所述基板上沉积栅电极绝缘层;

在完成上述步骤的所述基板上沉积非晶硅薄膜,通过构图工艺,形成有源层;

在完成上述步骤的所述基板上沉积金属薄膜,通过构图工艺形成数据扫描线、源电极和漏电极;

在完成上述步骤的所述基板上沉积钝化层,通过构图工艺,在所述数据扫描线上方的钝化层上形成数据扫描线过孔或沟槽,在所述漏电极上方的钝化层上形成漏电极过孔或沟槽;

在完成上述步骤的所述基板上沉积像素电极薄膜,通过构图工艺形成像素电极和连接电极,所述像素电极和连接电极互相断开;

所述像素电极通过所述漏电极过孔或沟槽与所述的漏电极电连接;

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