[发明专利]InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法

权利要求书

1、一种InGaAs/InP异质结双极性晶体管HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法，其特征在于，该方法包括：

A、选择合适的发射极InGaAs盖帽层厚度的HBT外延片；

B、在该外延片上旋涂光刻胶；

C、光刻、显影，制作发射极的图形；

D、蒸发发射极金属；

E、在有机溶液中剥离金属；

F、用磷酸基的腐蚀液腐蚀InGaAs盖帽层；

G、用盐酸基的腐蚀液腐蚀发射极InP层。

2、根据权利要求1所述的InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法，其特征在于，步骤A中所述发射极盖帽层的厚度在30至120nm之间。

3、根据权利要求1所述的InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法，其特征在于，步骤B中所述光刻胶是正胶、负胶或反转胶，该光刻胶的厚度大于要蒸发的发射极金属的厚度。

4、根据权利要求1所述的InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法，其特征在于，步骤C中所述光刻采用光学曝光机、投影式曝光机或电子束曝光机，以形成发射极图形；光刻时采用的光刻胶要形成倒梯形剖面结构，以利于发射极金属的剥离。

5、根据权利要求1所述的InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法，其特征在于，步骤D中所述蒸发发射极金属，是依次蒸发Ti/Pt/Au，形成欧姆接触，金属蒸发的总厚度为200至1000nm。

6、根据权利要求1所述的InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法，其特征在于，步骤E中所述剥离采取在有机溶剂中浸泡的方法，该有机溶剂包含溶解光刻胶的丙酮、S1165去胶液或二甲基吡硌烷酮。

7、根据权利要求1所述的InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法，其特征在于，步骤F中所述磷酸基的腐蚀液采用磷酸、双氧水和水的混合溶液，H₃PO₄∶H₂O₂∶H₂O的体积比为1～3∶1～2∶25～50，腐蚀时进行缓慢搅拌，搅拌速度在100～300rmp/s。

8、根据权利要求1所述的InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法，其特征在于，步骤G中所述盐酸基的腐蚀液采用H₃PO₄与HCl或HCl与H₂O的混合溶液，H₃PO₄与HCl的混合溶液中H₃PO₄∶HCl的体积比为0～5∶1，HCl与H₂O的混合溶液中HCl∶H₂O的体积比为1∶0～4；腐蚀时进行缓慢搅拌，搅拌速度在100～300rmp/s。