[发明专利]一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法

权利要求书

1.一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

A)长X向片状籽晶制作：从可获得的X向最长的KTP原晶坯料中平行XZ平面切割籽晶片，在X向最长位置垂直于Z向加工一XY平面，然后在该XY平面沿X方向的中心线向两端的XZ平面倒角，形成的顶角α的范围在0°＜α≤180°之间，并细磨倒角面以作为籽晶生长面；

B)将籽晶的生长面浸入到生长熔液中的方式下种，进行晶体的生长；所述生长熔液中KTP与磷酸盐助熔剂中的K6的比例可选择KTP：K6为摩尔比0.7-2之间。

2.根据权利要求1所述的KTP晶体生长方法，其特征在于：进一步包括，在步骤B)的晶体生长过程中，不断对正在生长的X面进行粗糙化处理以延长晶体的X向长度，且进一步以步骤B)中获得的晶体为原晶坯料，进行如步骤A)的籽晶加工，之后重复步骤B)的晶体生长。

3.根据权利要求2所述的KTP晶体生长方法，其特征在于：可多次重复步骤A)的籽晶加工和步骤B)的生长步骤。

4.根据权利要求2所述的KTP晶体生长方法，其特征在于：步骤B)中的粗糙化处理包括：旋转籽晶，在熔液表面投入块状结晶体，使其摩擦正在生长晶体的X面；或者晶体静止，用铂金片或丝旋转刮过正在生长的X面，粗糙化晶体表面使晶体X向快速生长。

5.根据权利要求1所述的KTP晶体生长方法，其特征在于：所述生长溶液为高温下合成K6助熔剂的KTP熔液，制备方法为：按所需要的KTP及K6比例计算KH2PO4、K2HPO4、TiO₂原料或其它等效化学原料K₂CO₃、P₂O₅、NH₄H₂PO₄的重量，然后将它们混合，再进行高温900-1000摄氏度熔化，恒温搅拌24小时左右，然后冷却到熔液的饱和点附近。

6.根据权利要求1所述的KTP晶体生长方法，其特征在于：生长熔液中KTP与K6的比例可选择以下任意一种：

KTP∶K6＝1.345mol∶1mol＝0.47g/g

KTP∶K6＝1.186mol∶1mol＝0.4233g/g

KTP∶K6＝0.84mol∶1mol＝0.30g/g

7.根据上述任意一项权利要求所述的KTP晶体生长方法，其特征在于：所述籽晶厚度为1mm，顶角α为60°，籽晶浸没到生长熔液中的深度为0.5-1mm。