[发明专利]多晶硅的冶金提纯方法

权利要求书

1.一种多晶硅的冶金提纯方法，其特征在于，包括步骤：

首先进行造渣处理，向金属硅中加入碱性造渣剂并混合后，在Ar惰性气体1000～1600℃的环境中处理20～30分钟，所述碱性造渣剂与金属硅的质量比为0.15～0.25；

然后，将经过造渣处理后的金属硅磨成粉，并进行去油处理；

之后，将进行去油处理后的硅粉进行酸浸处理；

所述的碱性造渣剂为Na₂O-CaO-CaF₂-SiO₂，所述碱性造渣剂中各组分所占的质量份分别为：Na₂O 5～15份；CaO 15～25份；CaF₂5～15份；SiO₂55～65份。

2.根据权利要求1所述的多晶硅的冶金提纯方法，其特征在于，所述的硅粉的粒度为100～300目。

3.根据权利要求1所述的多晶硅的冶金提纯方法，其特征在于，所述的去油处理包括：

首先将经过造渣处理后的硅粉用稀氨水或H₂O₂溶液处理，然后在乙醇溶液中浸泡，再用清水洗涤。

4.根据权利要求1所述的多晶硅的冶金提纯方法，其特征在于，所述的酸浸处理包括以下处理中的一种或多种：稀HCl处理、氢氟酸处理、浓盐酸处理。

5.根据权利要求1所述的多晶硅的冶金提纯方法，其特征在于，所述的酸浸处理包括氧化性酸处理，所述的氧化性酸包括以下一种或多种：

王水、浓H₂SO₄与浓HNO₃体积比2∶1的混合液、浓HNO₃与H₂O₂体积比1∶1的混合液。

6.根据权利要求4所述的多晶硅的冶金提纯方法，其特征在于，所述的氢氟酸处理的过程中还加入络合剂，所述络合剂与所述硅粉的质量比为1∶8～12，所述氢氟酸的浓度为0.1～0.8mol/L。

7.根据权利要求6所述的多晶硅的冶金提纯方法，其特征在于，所述的络合剂为甘露醇或甘油中的至少一种，所述络合剂的质量浓度为0.25％。

8.根据权利要求4所述的多晶硅的冶金提纯方法，其特征在于，所述每一种酸浸处理的时间大于或等于2小时，所述酸浸处理的温度范围是60℃-80℃；

所述酸浸处理过程中的每一步酸浸处理完成后，都将所述硅粉用去离子水清洗，并进行分离、烘干；烘干过程在真空干燥箱中进行，真空度控制在0.9Mpa～1Mpa。

9.根据权利要求8所述的多晶硅的冶金提纯方法，其特征在于，所述酸浸处理的装置为磁力搅拌器或超声波振荡器中的至少一种，所述酸浸处理过程中的固液质量比为1∶8～12；所述酸浸处理完成后，用定向凝固的方法将所述硅粉熔炼成硅锭。