[发明专利]层间介质层的平坦化方法及接触孔的形成方法

权利要求书

1.一种层间介质层的平坦化方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，且所述衬底上已具有栅极结构；

在所述衬底上进行高密度等离子体化学气相沉积，形成第一层间介质层， 且所述第一层间介质层的厚度大于所述栅极结构的高度；

对所述第一层间介质层进行平坦化处理；

在所述平坦化处理后的衬底上进行等离子体增强化学气相沉积，形成第二 层间介质层；

所述栅极结构上还覆盖有一层接触刻蚀停止层，在所述平坦化处理中去除 位于所述接触刻蚀停止层之上的第一层间介质层。

2.如权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于：所述第一层间介质层 的沉积厚度在2000至之间。

3.如权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于：所述第一层间介质层 在进行平坦化处理时去除的厚度在1000至之间。

4.如权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于：所述第二层间介质层 的厚度在3000至之间。

5.如权利要求1或2或3所述的平坦化方法，其特征在于：所述第一层 间介质层与第二层间介质层为含磷的氧化硅层或未掺杂的氧化硅层。

6.如权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于：所述平坦化处理采用 化学机械研磨方法实现。

7.如权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于：所述接触刻蚀停止层 为氮化硅层。

8.如权利要求7所述的平坦化方法，其特征在于：所述氮化硅层的厚度 在400至之间。

9.一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，且所述衬底上已具有栅极结构；

在所述衬底上进行高密度等离子体化学气相沉积，形成第一层间介质层， 且所述第一层间介质层的厚度大于所述栅极结构的高度；

对所述第一层间介质层进行平坦化处理；

在所述平坦化处理后的衬底上进行等离子体增强化学气相沉积，形成第二 层间介质层；

在所述第二层间介质层上形成接触孔图形；

刻蚀所述第二层间介质层，形成接触孔；

所述栅极结构上还覆盖有一层接触刻蚀停止层，在所述平坦化处理中去除 位于所述接触刻蚀停止层之上的第一层间介质层。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述第一层间介质层的 沉积厚度在2000至之间。

11.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述第一层间介质层在 进行平坦化处理时去除的厚度在1000至之间。

12.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述第二层间介质层的 厚度在3000至之间。

13.如权利要求9或10或11所述的形成方法，其特征在于：所述第一层 间介质层与第二层间介质层为含磷的氧化硅层或未掺杂的氧化硅层。

14.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述平坦化处理采用化 学机械研磨方法实现。

15.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述接触刻蚀停止层 为氮化硅层。

16.如权利要求15所述的形成方法，其特征在于：所述氮化硅层的厚度 在400至之间。