[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200810105900.7 | 申请日： | 2008-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101577230A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 李煜;居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底中形成阱区；
在所述阱区上形成栅极介质层和栅极，在所述栅极侧壁形成侧壁层；
对所述侧壁层侧壁的阱区执行第一步离子注入，在所述栅极侧壁的阱区中形成源极和漏极；
在第一步离子注入工艺之后，执行第二步离子注入；
其中，所述第二步离子注入工艺中注入的离子与第一步注入的离子同为N型或P型；
所述第二步离子注入工艺的注入能量大于所述第一步能量，剂量小于所述第一步的剂量；
其中，在形成栅极介质层之前，形成阱区之后，进一步包括对所述阱区执行预掺杂工艺，用于中和抵消所述第二步离子注入工艺中穿透所述栅极介质层而进入N阱区的离子。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述第二步离子注入工艺中注入的离子与所述预掺杂工艺注入的离子为不同类型的离子。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述预掺杂工艺中掺杂的剂量值为第二步的剂量值的五分之一至二十分之一。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底中形成阱区之后、形成栅极介质层之前，进一步包括：调整阈值电压的离子注入工艺。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述预掺杂工艺在所述调整阈值电压的离子注入工艺之前或之后进行，或所述预掺杂工艺与所述调整阈值电压的离子注入工艺同时进行。
6.如权利要求4或5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述预掺杂工艺中离子注入的能量与调整阈值电压的离子注入工艺中的能量相同。
7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：当所述预掺杂工艺在所述调整阈值电压的离子注入工艺之前或之后进行时，所述预掺杂工艺与所述调整阈值电压的离子注入工艺原位进行或在不同的工艺腔中分别进行。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述第二步离子注入工艺分为至少两次执行，随着次数增加，注入的能量增大，剂量减小；
且相应的，预掺杂工艺也分为至少两次执行，所述预掺杂工艺的次数与第二步离子注入工艺的次数相同。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述预掺杂工艺中注入的离子为硼。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述预掺杂工艺中注入的能量为6至12KeV，剂量为0.1e12至0.2e12cm-2。
11.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述第二步离子注入工艺中注入的离子为磷。
12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述第二步离子注入工艺中注入的能量为20至30KeV。
13.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述第二步离子注入与所述第一步离子注入工艺原位进行或在不同的工艺腔中分别进行。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810105900.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
