[发明专利]掺杂方法及LDD掺杂区的形成方法无效
| 申请号： | 200810105930.8 | 申请日： | 2008-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101577222A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 林仰魁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 方法 ldd 形成 | ||
1、一种掺杂方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
对所述半导体衬底执行离子注入工艺，形成掺杂区；
在所述掺杂区表面形成包含点缺陷的膜层；
对形成有所述膜层的半导体衬底执行退火工艺。
2、如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，形成所述包含点缺陷的膜层的方法如下：在所述掺杂区表面形成介质层，在形成所述介质层的过程中，所述介质层与所述掺杂区表面材料作用，从而形成具有点缺陷的膜层。
3、如权利要求2所述的掺杂方法，其特征在于，进一步包括：在执行退火工艺之后去除所述的介质层。
4、如权利要求2或3所述的掺杂方法，其特征在于：所述介质层为氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅中的一种。
5、如权利要求2或3所述的掺杂方法，其特征在于：所述介质层为氧化硅，其形成工艺为高温炉管氧化、快速热退火氧化或原位水蒸气产生氧化中的一种。
6、如权利要求5所述的掺杂方法，其特征在于：所述氧化硅层的厚度小于
7、如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，在所述掺杂区表面形成包含点缺陷的膜层的方法如下：用等离子体轰击所述掺杂区表面。
8、如权利要求1或2或3或6或7所述的掺杂方法，其特征在于：所述点缺陷包括空位或间隙。
9、如权利要求1或2或3或6或7任一权利要求所述的掺杂方法，其特征在于：所述退火为高温炉管退火或快速热退火。
10、一种LDD掺杂区的形成方法，其特征在于，包括：
提供具有栅极的半导体衬底；
对所述栅极侧壁的半导体衬底执行轻掺杂工艺，形成掺杂区；
在所述掺杂区表面形成包含点缺陷的膜层；
对所述具有点缺陷的膜层的半导体衬底执行退火工艺。
11、如权利要求10所述的LDD掺杂区的形成方法，其特征在于，形成所述包含点缺陷的膜层的方法如下：在所述掺杂区表面形成介质层，在形成所述介质层的过程中，所述介质层与所述掺杂区表面材料作用，形成具有点缺陷的膜层。
12、如权利要求11所述的LDD掺杂区的形成方法，其特征在于，进一步包括：在执行退火工艺之后去除所述的介质层。
13、如权利要求11或12所述的LDD掺杂区的形成方法，其特征在于：所述介质层为氧化硅，其形成工艺为高温炉管氧化、快速热退火氧化或原位水蒸气产生氧化中的一种。
14、如权利要求10所述的LDD掺杂区的形成方法，其特征在于，在所述掺杂区表面形成包含点缺陷的膜层的方法如下：用等离子体轰击所述掺杂区表面。
15、如权利要求10或11或12或14所述的LDD掺杂区的形成方法，其特征在于：所述点缺陷包括空位或间隙。
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