[发明专利]抗静电氮化镓发光器件及其制造方法

权利要求书

1、一种抗静电氮化镓发光器件，包括发光薄膜、分别形成在发光薄膜上面和下面的第一电极和第二电极，其特征在于：所述发光器件还包括形成在所述第一电极中或者所述第二电极中的大电子迁移率电感线圈；所述大电子迁移率电感线圈形成在所述发光薄膜的上面或下面，或者第一电极中的导电体层上面或下面，或者第二电极中的导电体层上面或下面；所述大电子迁移率电感线圈材料的电子迁移率大于与之接触导电体层材料的电子迁移率。

2、根据权利要求1所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述第二电极包括导电基板，导电基板上面或下面形成有所述大电子迁移率电感线圈。

3、根据权利要求1所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述第一电极为N电极，所述第二电极为P电极。

4、根据权利要求3所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述第一电极包括沉积在所述发光薄膜上面的N型欧姆接触层；所述大电子迁移率电感线圈也沉积在所述发光薄膜上面并与所述N型欧姆接触层连接，或者N型欧姆接触层呈电感线圈形状作为所述大电子迁移率电感线圈。

5、根据权利要求1所述抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述发光器件还包括与所述发光薄膜电串联的限流电感线圈，所述限流电感线圈中至少有一层线圈形成在用于保持该线圈与其它导电体层的主体之间隔离的绝缘层上，在绝缘层上设有供该层线圈与其它导电体层电串联连接的窗口孔。

6、根据权利要求5所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述大电子迁移率电感线圈或限流电感线圈包括上下层叠关系的至少两层电串联在一起的线圈。

7、根据权利要求5所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述大电子迁移率电感线圈或者限流电感线圈的材料为金属、或者透明的参铝的氧化锌、或者透明的氧化铟锡。

8、根据权利要求5所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述大电子迁移率电感线圈或者限流电感线圈的线宽范围为10纳米～40微米，厚度范围为10纳米～40微米。

9、根据权利要求3所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于，所述P电极包括：

位于所述发光薄膜下面的P型欧姆接触层、P型欧姆接触层下方的所述导电基板、导电基板上面形成的正面欧姆接触层、在正面欧姆接触层上面形成的压焊金属层、在所述导电基板下面形成的背面欧姆接触层、背面欧姆接触层下方形成的金属层。

10、根据权利要求3所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述P电极包括P型欧姆接触层，所述N电极包括N型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上设有用于防止电流拥挤效应、处于所述N型欧姆接触层位置下方的互补区域孔。

11、根据权利要求3所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述P电极包括P型欧姆接触层，在所述P型欧姆接触层的外边缘与所述发光薄膜的外边缘之间形成有一个没有P型欧姆接触层、用于减小所述发光薄膜漏电流的空缺区域。

12、根据权利要求3所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述P电极包括导电基板，所述发光薄膜形成在作为P型欧姆接触层的导电基板上。

13、一种用于制造抗静电氮化镓发光器件的方法，包括在外延片上制备N电极步骤和P电极步骤，以及对制备好的外延片进行切片的切割步骤，其特征在于，所述制备N电极步骤或者制备P电极步骤包括：

形成所述大电子迁移率电感线圈：在与发光薄膜有电串联关系的导电体层上面形成具有电子迁移率大于与之接触导电体层材料的电子迁移率的材料性能的所述大电子迁移率电感线圈。