[发明专利]抗静电氮化镓发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光器件，特别是涉及一种能够抗静电的半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

以铟镓铝氮为半导体材料的发光器件可以用于全色大屏幕显示、交通信号灯、背光源、固体照明等，它是一种很重要的发光器件。铟镓铝氮发光器件有同侧电极结构和上下电极结构两种形式，上下电极结构的发光器件可以改善出光效率、提高芯片利用率和降低器件的串连电阻，因而上下电极结构的发光器件的运用变得越来越普遍。

无论是同侧电极结构的发光器件还是上下电极结构的发光器件，其抗静电性能都是它们的一项关键参数。在芯片的生产过程和运输过程中，器件都不可避免的要接触静电，它很容易使器件失效。在半导体器件生产线上的静电一般都有几千伏甚至几万伏、几十万伏，当铟镓铝氮发光器件接触到带有静电的物体时，数千、数万伏的高电位物体会发生脉冲放电或火花放电，瞬间会有很高的电流流过发光器件，使得发光器件受到损坏。

因而，提高铟镓铝氮材料的质量和改善器件的结构来提高器件的抗静电性能显得很有必要。铟镓铝氮材料质量的提高由于受到制备条件的限制往往会有一个极限，所以在相同材料质量的前提下通过改善器件结构来提高器件的抗静电性能显得尤为重要。

发明内容

本发明所要解决的第一个技术问题是提供一种抗静电氮化镓发光器件，该发光器件具有较好的抗静电能力，在一定程度上避免静电对发光器件的损坏。

本发明所要解决的第二技术问题是提供一种抗静电氮化镓发光器件的制造方法，利用该方法制造的半导体发光器件的抗静电性能得到较大提高。

为了解决上述第一个技术问题，本发明采用如下技术方案：一种抗静电氮化镓发光器件，包括发光薄膜、分别形成在发光薄膜上面和下面的第一电极和第二电极，所述发光器件还包括形成在所述第一电极中或者所述第二电极中的大电子迁移率电感线圈；所述大电子迁移率电感线圈形成在所述发光薄膜的上面或下面，或者第一电极中的导电体层上面或下面，或者第二电极中的导电体层上面或下面；所述大电子迁移率电感线圈材料的电子迁移率大于与之接触导电体层材料的电子迁移率。

1、如果电感线圈直接沉积在发光薄膜上，由于发光薄膜的材料为铟镓铝氮等半导体材料，发光薄膜的电子迁移率高于大电子迁移率电感线圈的电子迁移率；2、如果沉积在发光薄膜上的N电极有多层结构，其中多层结构中包含其它导电体层的时候，特别是一些半导体材料的导电体层时候，大电子迁移率电感线圈沉积在某一导电体层上，此时要求大电子迁移率电感线圈的电子迁移率大于其依附的导电体层材料的电子迁移率；3、同样，如果沉积在发光薄膜上的P电极有多层结构，1)、大电子迁移率电感线圈沉积在P电极上的硅、碳化硅等衬底上面时，则要求大电子迁移率电感线圈的电子迁移率大于衬底的材料的电子迁移率；2)、大电子迁移率电感线圈沉积在P电极上非衬底的导电体层上时，要求大电子迁移率电感线圈的电子迁移率大于该导电体层的材料的电子迁移率。

如果衬底为蓝宝石衬底，并且采用同侧电极结构，可以在刻蚀出来的P型欧姆接触层上形成半导体层，再在半导体层上形成所述大电子迁移率线圈和线圈焊盘。

电感线圈的材料可以为金属、或者透明的参铝的氧化锌、或者透明的氧化铟锡等材料，其具体选材，需要根据大电子迁移率电感线圈所依附的导电体层的材料进行选择。电感线圈的线宽范围可以为10纳米～40微米，厚度范围可以为10纳米～40微米。

所述发光薄膜包括出光面，出光面为经过粗化处理的表面。经过粗化处理的表面，可以是在发光薄膜上直接形成，也可以是在发光薄膜的钝化层上形成，也可以是在另外沉积的增透膜上形成。对出光面进行粗化处理，是为了提高出光效率。出光面优选为具有氮原子极性的面。

优选地：所述第二电极包括导电基板，导电基板上面或下面形成有所述大电子迁移率电感线圈。当基板为导电的硅或着碳化硅时，此时基板导电，可以将芯片做成上下电极结构，导电基板即可作为第二电极的一部分。如果芯片采用同侧电极结构，基板衬底采用蓝宝石材料时，由于基板不导电，故不可作为第二电极的一部分。

优选地：所述第一电极为N电极，所述第二电极为P电极。