[发明专利]半导体发光器件的抗静电结构及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体发光器件的抗静电结构，包括发光薄膜、分别形成在发光薄膜上面和下面的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，发光薄膜、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层形成电串联连接，其特征在于：所述抗静电结构还包括与所述发光薄膜电串联的电感线圈。

2、根据权利要求1所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于：所述第一欧姆接触层为N型欧姆接触层，所述第二欧姆接触层为P型欧姆接触层。

3、根据权利要求1所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于：所述发光薄膜包括出光面，出光面为经过粗化处理的表面。

4、根据权利要求1所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于：所述电感线圈包括上下层叠关系的至少两层电串联在一起的线圈。

5、根据权利要求1所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于：所述电感线圈的材料为金属、或者透明的掺铝的氧化锌、或者透明的氧化铟锡。

6、根据权利要求1所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于：所述电感线圈的线宽范围为10纳米～40微米，厚度范围为10纳米～40微米。

7、根据权利要求2所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于：所述P型欧姆接触层的材料为单质铂、铂合金、单质钯、钯合金、单质铑、铑合金、镍合金或氧化铟锡中任一种。

8、根据权利要求2所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于：所述N型欧姆接触层的材料至少为金锗镍合金、金硅合金、金硅镍合金、氮化钛、含氮化钛物质或钛铝合金中的一种物质。

9、根据权利要求1所述的半导体器件的抗静电结构，其特征在于：所述发光薄膜包括出光面，出光面为具有氮原子极性的面。

10、根据权利要求1～9中任一项所述半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于：所述电感线圈形成在用于保持电感线圈与相邻导电体层的主体之间隔离的绝缘层上，在绝缘体上设有供电感线圈与相邻导电体层电串联连接的窗口孔。

11、根据权利要求10所述半导体器件的抗静电结构，其特征在于：所述相邻导电体层为所述第一欧姆接触层，所述绝缘层形成在所述第一欧姆接触层上面，绝缘层上形成有所述电感线圈，电感线圈的一端连接所述第一欧姆接触层。

12、根据权利要求1所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于：所述第一欧姆接触层以电感线圈状形成在所述发光薄膜上面。

13、根据权利要求10所述半导体器件的抗静电结构，其特征在于：所述第二欧姆接触层的下方形成有所述电感线圈，第二欧姆接触层与电感线圈电串联连接。

14、根据权利要求13所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于：所述抗静电结构包括位于所述第二欧姆接触层下方的导电基板，导电基板上面形成有靠近所述发光薄膜的正面欧姆接触层，在正面欧姆接触层上有压焊金属层；在压焊金属层与第二欧姆接触层之间设有所述电感线圈，电感线圈与所述压焊金属层电串联连接。

15、根据权利要求10所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于：所述抗静电结构包括位于所述第二欧姆接触层下方的导电基板，导电基板的下面形成有远离所述发光薄膜的背面欧姆接触层，背面欧姆接触层下方设有金属层，在背面欧姆接触层与金属层之间有所述电感线圈，电感线圈同时与背面欧姆接触层、金属层电串联连接。

16、根据权利要求13所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于：所述抗静电结构包括位于所述第二欧姆接触层下方的导电基板，第二欧姆接触层与导电基板之间形成有所述电感线圈，P型欧姆接触层、电感线圈和导电基板电串联连接在一起。

17、根据权利要求1至9或11至16中任一项所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于：所述发光薄膜、第一欧姆接触层或者第二欧姆接触层的边缘形成有钝化层。

18、根据权利要求17所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于：所述钝化层的材料至少为二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝或聚酰亚胺材料中的一种物质。