[发明专利]半导体发光器件的抗静电结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光器件，特别是涉及一种能够抗静电的半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

以铟镓铝氮为半导体材料的发光器件可以用于全色大屏幕显示、交通信号灯、背光源、固体照明等，它是一种很重要的发光器件。铟镓铝氮发光器件有同侧电极结构和上下电极结构两种形式，上下电极结构的发光器件可以改善出光效率、提高芯片利用率和降低器件的串连电阻，因而上下电极结构的发光器件的运用变得越来越普遍。

无论是同侧电极结构的发光器件还是上下电极结构的发光器件，其抗静电性能都是它们的一项关键参数。在芯片的生产过程和运输过程中，器件都不可避免的要接触静电，它很容易使器件失效。在半导体器件生产线上的静电一般都有几千伏甚至几万伏、几十万伏，当铟镓铝氮发光器件接触到带有静电的物体时，数千、数万伏的高电位物体会发生脉冲放电或火花放电，瞬间会有很高的电流流过发光器件，使得发光器件受到损坏。

因而，提高铟镓铝氮材料的质量和改善器件的结构来提高器件的抗静电性能显得很有必要。铟镓铝氮材料质量的提高由于受到制备条件的限制往往会有一个极限，所以在相同材料质量的前提下通过改善器件结构来提高器件的抗静电性能显得尤为重要。

发明内容

本发明所要解决的第一个技术问题是提供一种半导体发光器件的抗静电结构，该结构用来提高半导体发光器件的抗静电性能。

本发明所要解决的第二技术问题是提供一种用于制造半导体发光器件的抗静电结构的方法，利用该方法制造的半导体发光器件的抗静电性能得到显著提高。

为了解决上述第一个技术问题，本发明采用如下技术方案：一种半导体发光器件的抗静电结构，包括发光薄膜、发光薄膜上面的出光面上形成的第一欧姆接触层和发光薄膜下面形成的第二欧姆接触层，发光薄膜、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层形成电串联连接，所述抗静电结构还包括与所述发光薄膜电串联的电感线圈。电感线圈的材料可以为金属、或者透明的掺铝的氧化锌、或者透明的氧化铟锡等材料。电感线圈的线宽范围可以为10纳米～40微米，厚度范围可以为10纳米～40微米。

优选地：所述第一欧姆接触层为N型欧姆接触层，所述第二欧姆接触层为P型欧姆接触层。这种结构常用于基板为导电基板的上下电极结构。对于同侧电极，基板通常为蓝宝石(即蓝宝石衬底)，第一欧姆接触层为沉积在发光薄膜上的P型欧姆接触层，第二欧姆接触层为形成在发光薄膜下面的N型欧姆接触层。

优选地：所述发光薄膜包括出光面，出光面为经过粗化处理的表面。经过粗化处理的表面，可以是在发光薄膜上直接形成，也可以是在发光薄膜的钝化层上形成，也可以是在另外沉积的增透膜上形成。对出光面进行粗化处理，是为了提高出光效率。

优选地：所述电感线圈包括上下层叠关系的至少两层电串联在一起的线圈。电感线圈中的线圈的层数不仅仅限定为一层，还可以是两层、三层或更多，线圈的层数可以根据防静电的设计需要进行调整。

优选地：所述P型欧姆接触层的材料为单质铂、铂合金、单质钯、钯合金、单质铑、铑合金、镍合金或氧化铟锡中任一种。如果是具有透光作用的氧化镍金或氧化铟锡作为P型欧姆接触层，则其下面可以沉积银、铝或者其它具有高反射率的合金作为光反射层。铂合金可以是铂银铜或铂银锌等合金。在P型欧姆接触层的下面可以沉积一个扩散阻挡层，扩散阻挡层可以是金属钨、铬、钒等中的一种或它们的合金，也可以是氮化钛等化合物作为扩散阻挡层。

优选地：所述N型欧姆接触层的材料至少为金锗镍合金、金硅合金、金硅镍合金、氮化钛、含氮化钛物质或钛铝合金中的一种物质。也可以是上述所提及物质的层叠结构或混合物。

优选地：所述发光薄膜包括出光面，出光面为具有氮原子极性的面。

优选地：所述电感线圈形成在绝缘层上，电感线圈通过所述绝缘层与其它相邻的导电体层保持主体之间的隔离，在绝缘体上设有供电感线圈与其它相邻导电体层电串联连接的窗口孔。绝缘层可以很好的将电感线圈主体与其它导电体层的主体隔离开来，电感线圈通过绝缘层上的窗口孔与它临近的导电体层保持端部连接，这样可以很好的保持电感线圈与它临近导电体层的电串联关系。当电感线圈夹持在两个导电体层之间的时候，此时，在电感线圈上面和下面均需要绝缘层。

优选地：所述相邻导电体层为所述第一欧姆接触层，所述绝缘层形成在所述第一欧姆接触层上面，绝缘层上形成有所述电感线圈，电感线圈的一端连接所述第一欧姆接触层。由于在此种情况下的电感线圈上方再没有导电体层了，此时，在电感线圈上故无需再设置绝缘层。