[发明专利]静电放电保护电路的晶体管布局

权利要求书

1.一种静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，包括：

一第一导电型衬底；

一第二导电型环状阱区，配置于该第一导电型衬底中；

二第一导电型的第一掺杂区，配置于由该第二导电型环状阱区所围绕的该第一导电型衬底中；以及

至少一第二导电型金属氧化物半导体晶体管，配置于该二第一导电型的第一掺杂区之间的该第一导电型衬底上，该第二导电型金属氧化物半导体晶体管具有一源极、一栅极与一漏极，

其中该第二导电型环状阱区与该漏极耦接一第一电压源，该第一导电型的第一掺杂区的其中之一与该源极耦接一第二电压源，该第一导电型的第一掺杂区的另一耦接一衬底触发电路。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，其中该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。

3.根据权利要求1所述的静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，其中该第一导电型为N型，该第二导电型为P型。

4.根据权利要求1所述的静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，进一步包括一隔离结构，其配置于该第二导电型环状阱区、该二第一导电型的第一掺杂区与该第二导电型金属氧化物半导体晶体管之间。

5.根据权利要求1所述的静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，其中当该晶体管布局接收到一正的静电电流时，该漏极、该第一导电型衬底与该源极构成寄生双载子接面晶体管，以释放该正的静电电流。

6.根据权利要求1所述的静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，其中当该晶体管布局接收到一负的静电电流时，与第二电压源耦接的该第一导电型的第一掺杂区分别与该漏极以及与其相邻的该第二导电型环状阱区构成PN二极管，以释放该负的静电电流。

7.根据权利要求6所述的静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，进一步包括一第一导电型的第二掺杂区，配置于该第二导电型环状阱区外侧的该第一导电型衬底中。

8.根据权利要求7所述的静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，其中当该晶体管布局接收到该负的静电电流时，该第一导电型的第二掺杂区与该第二导电型环状阱区构成PN二极管，以释放该负的静电电流。

9.一种静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，包括：

一第一导电型衬底；

一第二导电型环状阱区，配置于该第一导电型衬底中；

二第一导电型的第一掺杂区，配置于该第二导电型环状阱区所围绕的该第一导电型衬底中；

至少一第一导电型的第二掺杂区，配置于该二第一导电型的第一掺杂区之间；以及

至少二第二导电型金属氧化物半导体晶体管，分别配置于该二第一导电型的第一掺杂区与该第一导电型的第二掺杂区之间的该第一导电型衬底上，该二第二导电型金属氧化物半导体晶体管均具有一源极、一栅极与一漏极，

其中该第二导电型环状阱区与该漏极耦接一第一电压源，该二第一导电型的第一掺杂区与该源极耦接一第二电压源，该第一导电型的第二掺杂区耦接一衬底触发电路。

10.根据权利要求9所述的静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，其中该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。

11.根据权利要求9所述的静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，其中该第一导电型为N型，该第二导电型为P型。

12.根据权利要求9所述的静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，进一步包括一隔离结构，其配置于该第二导电型环状阱区、该二第一导电型的第一掺杂区、该第一导电型的第二掺杂区以及该二第二导电型金属氧化物半导体晶体管之间。

13.根据权利要求9所述的静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，其中当该晶体管布局接收到一正的静电电流时，该漏极、该第一导电型衬底与该源极构成寄生双载子接面晶体管，以释放该正的静电电流。

14.根据权利要求9所述的静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，其中当该晶体管布局接收到一负的静电电流时，各该第一导电型的第一掺杂区分别与相邻的各该漏极以及与其相邻的该第二导电型环状阱区构成PN二极管，以释放该负的静电电流。