[发明专利]转移方法、转移设备以及制造有机发光元件的方法无效
申请号: | 200810107926.5 | 申请日: | 2008-05-21 |
公开(公告)号: | CN101340746A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 花轮幸治 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H05B33/10 | 分类号: | H05B33/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转移 方法 设备 以及 制造 有机 发光 元件 | ||
技术领域
本发明涉及转移方法和转移设备,用于通过激光辐射转移例如包含有机发光材料的转移层,以及采用该转移方法和转移设备制造有机发光元件的方法。
背景技术
迄今,在制造有机发光元件的工艺中,通常采用图案化有机层的方法,其采用具有对应于预定区域的开口(aperture)的掩模来图案化例如发光层之类的有机层。近年来,制造了大尺寸有机发光元件,并且在此情况下图案化所采用的掩模也变大。由于尺寸上的增加,掩模中产生偏差,并且对准精度变坏。因此有开口率降低的可能性。为了克服该缺点,已经提出了这样的方法,其通过发射激光束到设置有有机层的转移基板而将有机层转移到基板上(例如,参见日本未审查专利申请公开No.H09-167684和2002-216957和日本未审查专利申请公开(PCT申请的译文)No.2000-515083)。
发明内容
人们还已经提出这样的减少生产时间的方法,其将热转移所采用的激光束成形为带状,并且一次全部地辐射激光束到多个像素(参见,例如,日本未审查专利申请公开No.2006-93127和2006-93077)。日本未审查专利申请公开No.2003-257641提出这样的方法,其通过设定激光束的强度分布使中心部分中的强度高于末端部分来防止有机层转移到希望区域之外的区域。
然而,在上述专利文件的方法中,激光束发射到多个像素的强度分布是不均匀的,并且因此受辐射表面(转移基板)中的温度分布变得不均匀。因此,在转移所形成的有机层的宽度、形状和膜质量等上产生变化。结果,带来以下缺点,即有机发光元件所产生的光的亮度会出现不均匀。
因此,希望提供能够使所转移层的形状和质量等一致的转移方法和转移设备以及制造有机发光元件的方法。
根据本发明的实施例,提供了第一种转移方法,其包括以下步骤:设置转移基板和受体基板,使得它们彼此面对,在所述转移基板上设置有转移层,而在所述受体基板中布置有多个区域;以及通过从该转移基板侧发射辐射射线,将该转移层转移到该多个区域。该辐射射线成形为带状,并且在该辐射射线的长轴方向上中心部分中的短轴宽度设定为大于端部中的短轴宽度。
根据本发明的实施例,提供了第二种转移方法,其包括以下步骤:设置转移基板和受体基板,使得它们彼此面对,在所述转移基板上设置有转移层,而在所述受体基板中布置有多个区域;以及通过从该转移基板侧发射辐射射线,将该转移层转移到该多个区域。该辐射射线成形为带状,并且在该辐射射线的长轴方向上中心部分中的强度峰值设定为小于端部中的强度峰值。
在本发明实施例的第一种转移方法中,通过以带状的辐射射线辐射设置有转移层的转移基板,转移层被一次全部地转移到受体基板中的多个区域。当辐射射线辐射多个区域时,中心部分中比端部中热量更易积聚并且温度更易于升高。此时,因为在带状的辐射射线的长轴方向上中心部分中的短轴宽度大于端部中的短轴宽度,所以抑制了中心部分和端部之间温度差的产生,被辐射的整个表面中的温度分布变为均匀。
在本发明实施例的第二种转移方法中,通过以带状的辐射射线辐射设置有转移层的转移基板,转移层被一次全部地转移到受体基板中的多个区域。当辐射射线辐射多个区域时,中心部分中比端部中热量更易积聚并且温度更易于升高。此时,因为在带状的辐射射线的长轴方向上中心部分中的强度峰值小于端部中的强度峰值,所以抑制了中心部分和端部之间温度差的产生,被辐射的整个表面中的温度分布变为均匀。
根据本发明的实施例,提供了一种转移设备,该转移设备通过用辐射射线辐射转移基板将形成在该转移基板上的转移层转移到受体基板,并且具有用于发射该辐射射线到该转移基板的光学机构。该光学机构包括:光源,用于发射该辐射射线;照明透镜,用于使该辐射射线成形为带状;辐射射线分束器,用于将通过该照明透镜成形为带状的该辐射射线分束成在该辐射射线的长轴方向上的多个区域;和成像透镜,用于由被该辐射射线分束器分束的该辐射射线在该转移基板上形成图像。该成像透镜构造为使得中心部分中距焦点的偏移大于端部中的偏移。
在根据本发明实施例的转移设备中,通过来自光源并且由照明透镜成形为带状的辐射射线,图像由成像透镜形成在转移基板上。成像透镜构造为使得在长轴方向上中心部分中距焦点的偏移大于端部中的偏移。利用该构造,在形成图像的辐射射线的中心部分中的短轴宽度大于端部中的短轴宽度,并且中心部分中的强度峰值变为小于端部中的强度峰值。因此,抑制了中心部分与端部之间温差的产生,在整个表面上辐射的温度分布变得均匀。
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