[发明专利]液晶显示器及其薄膜晶体管阵列板无效
申请号: | 200810108486.5 | 申请日: | 2004-05-19 |
公开(公告)号: | CN101290939A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 白承洙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362;G02F1/1333;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示器 及其 薄膜晶体管 阵列 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列板,包括:
基底;
形成在所述基底上并包括栅电极的栅极线;
形成在所述基底上并包括与所述栅极线相交的交叉部分和除所述交叉部分外的弯曲部分的数据线;
包括与所述栅极线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极、以及漏极的薄膜晶体管;
与所述漏极连接的像素电极;以及
与所述像素电极和所述漏极中至少之一重叠并夹有绝缘体的储存电极,
其中,所述漏极和所述储存电极中至少之一包括沿平行于所述数据线的所述弯曲部分延伸的部分。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板,其中,所述数据线的所述弯曲部分包括相对于所述栅极线分别成大约45度的顺时针角和大约45度的逆时针角的一对部分。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板,其中,所述漏极和所述储存电极彼此重叠。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板,其中,所述源电极与所述数据线的交叉部分连接。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板,其中,所述像素电极沿所述数据线的所述弯曲部分弯曲。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板,其中,所述像素电极至少部分地与所述数据线重叠。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板,其中,所述像素电极包括之间设有切口的一对分区。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板,其中,还包括与所述栅电极相对设置并包括位于所述源电极与所述漏极之间的第一部分的半导体层。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列板,其中,所述半导体层还包括设置在所述数据线之下的第二部分。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列板,其中,除所述第一部分以外,所述半导体层具有与所述数据线、所述源电极和所述漏极基本相同的平面图形。
11.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列板,其中所述漏极具有与所述存储电极重叠的扩展部分。
12.一种液晶显示器,包括:
一薄膜晶体管阵列板,其包括:
基底,
形成在所述基底上并包括栅电极的栅极线,
形成在所述基底上并包括与所述栅极线相交的交叉部分和除所述交叉部分外的弯曲部分的数据线,
包括与所述栅极线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极、以及漏极的薄膜晶体管,
与所述漏极连接的像素电极,
与所述像素电极和所述漏极中至少之一重叠并夹有绝缘体的储存电极;以及
一面对所述薄膜晶体管阵列板的共用电极板,其包括面对所述像素电极的共用电极,
其中,所述漏极和所述储存电极中至少之一包括沿平行于所述数据线的所述弯曲部分延伸的部分。
13.根据权利要求12所述的液晶显示器,其中,还包括设置在所述薄膜晶体管阵列板和所述共用电极板的任何一个上的滤光器。
14.根据权利要求12所述的液晶显示器,其中,还包括置于所述薄膜晶体管阵列板与所述共用电极板之间并具有负各向异性且基本上垂直对准的液晶层。
15.根据权利要求12所述的液晶显示器,其中,还包括控制所述液晶层中分子的倾斜方向的倾斜控制部件。
16.根据权利要求15所述的液晶显示器,其中,所述倾斜控制部件包括在所述像素电极或所述共用电极中的切口。
17.根据权利要求15所述的液晶显示器,其中,所述倾斜控制部件包括在所述像素电极或所述共用电极上的突起。
18.根据权利要求15所述的液晶显示器,其中,所述倾斜控制部件与所述数据线平行地弯曲。
19.根据权利要求18所述的液晶显示器,其中,所述倾斜控制部件面对所述漏极和所述储存电极中至少之一。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的