[发明专利]液晶显示器及其薄膜晶体管阵列板无效
申请号: | 200810108486.5 | 申请日: | 2004-05-19 |
公开(公告)号: | CN101290939A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 白承洙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362;G02F1/1333;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示器 及其 薄膜晶体管 阵列 | ||
本申请是申请日为2004年5月19日题为“液晶显示器及其薄膜晶体管阵列板”的第200410079436.0号发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器及其薄膜晶体管阵列板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是应用最广泛的平板显示器之一。LCD包括夹在一对设置有场发生电极的板之间的液晶(LC)层。LC层处于电极产生的电场中,且场强变化可改变LC层的分子取向,分子取向随之改变通过液晶层的光的偏振。基于光的偏振,适当设置的偏振器可改变光的透射率。
LCD质量的一个检测指标为视角,它由LCD表现出预定对比度处的角度限定。已经提出了扩大视角的各种技术,包括使用垂直排列的LC层和在如像素电极和共用电极的场发生电极处设置缺口或突起的技术。
然而,缺口和突起降低了孔径比。为了提高孔径比,已经提出使像素电极尺寸最大化。但像素电极尺寸的最大化将导致像素电极间的距离太近,从而产生像素电极间很强的横向电场。强电场将导致LC分子取向发生不期望的变化,产生条纹和光泄漏,并降低显示性能。条纹和光泄漏可以通过较宽的黑矩阵来屏蔽,但这同样降低了孔径比。
同时,像素电极和共用电极形成插入液晶层的电容器,称为LC电容器,像素电极和设置在板上的信号线形成辅助电容器,称为储存电容器,储存电容器与LC电容器并联。在LC电容器和储存电容器之间的电容具有用于给所述电容器充分充电的适当的值和适当的比例。
然而,由于所述LC电容与像素电极间距的平方成正比,因此随LCD和像素电极尺寸的增加而迅速增加。LC电容的增加降低了LC电容器的充电率,并增加了液晶的响应时间。尽管充电率的降低可以通过增加储存电容弥补,响应时间的增加可以通过增大缺口或突起的宽度弥补,但是这将引起孔径比的降低。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种具有优化的LC电容的LCD。
本发明的另一目的是提供一种具有足够孔径比的LCD。
本发明的又一目的是提供一种具有稳定的液晶排列的LCD。
本发明的再一目的是提供一种便于用于任何LCD的像素结构。
提供一种液晶显示器,其包括薄膜晶体管阵列板和面对薄膜晶体管阵列板的共用电极板。该薄膜晶体管阵列板包括:第一栅极线;与该栅极线相交的数据线;第一薄膜晶体管,其包括与所述栅极线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极、以及漏极;与所述漏极连接的第一像素电极;以及与所述像素电极和漏极中至少之一重叠并夹有绝缘体的电容器电极。所述共用电极板包括面对所述像素电极并具有面对所述漏极和电容器电极中至少之一的开口的共用电极。
所述数据线可包括弯曲部分和与弯曲部分连接并与栅极线相交的交叉部分。数据线的弯曲部分可包括一对彼此连接并与栅极线成大约45度角的直线部分。所述像素电极可沿数据线的弯曲部分弯曲。
所述像素电极可至少部分地与所述数据线重叠。
本液晶显示器还可包括:与所述第一栅极线和数据线分开并邻近所述第一像素电极设置的第二栅极线;与第二栅极线连接的第二薄膜晶体管;以及与第二薄膜晶体管连接的第二像素电极。
所述电容器电极可与第二栅极线连接,而该液晶显示器还可包括与所述像素电极电性连接并设置在所述电容器电极与像素电极之间的电容器导体。
当然,所述电容器电极也可与第二栅极线断开。
该液晶显示器还可包括设置在所述薄膜晶体管阵列板和共用电极板的任何一个上的滤光器。
该液晶显示器还可包括置于所述薄膜晶体管阵列板与共用电极板之间的液晶层。
该液晶层可具有负各向异性并基本上垂直对准。本液晶显示器还可包括控制该液晶层中分子的倾斜方向的倾斜控制部件,该倾斜控制部件可包括在所述像素电极或共用电极中的切口、或所述像素电极和共用电极上的突起。
该液晶显示器还可包括与所述栅电极相对设置并包括位于所述源电极与漏极之间的第一部分的半导体层。该半导体层还可包括设置在所述数据线之下的第二部分。除所述第一部分以外,半导体层可具有与所述数据线、源电极和漏极基本相同的平面图形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的