[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

晶片，在活性区域中具有沟槽；以及

第一氧化膜和氮化膜，所述第一氧化膜和所述氮化膜被沿着所述沟槽的内壁依次凹凸地形成，以根据所述沟槽而具有凹凸结构；

第二氧化膜，通过高温氧化形成在具有凹面的所述氮化膜的上部，其中，用化学机械研磨(CMP)将所述第二氧化膜的上部部分平整化；以及

栅极，形成在所述第二氧化膜的所述平整化的上部部分上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，通过对所述晶片的活性区域进行干式蚀刻去除预定深度，以在所述晶片上形成所述沟槽。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氧化膜通过湿式氧化形成在所述沟槽上。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氮化膜和所述第一氧化膜的厚度的和小于所述沟槽的深度。

5.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在晶片上形成沟槽；

在具有所述沟槽的所述晶片上依次形成沿着所述沟槽的内壁凹凸的第一氧化膜和氮化膜；

在所述氮化膜上形成第二氧化膜，且对其上部部分进行平整化；

在所述第二氧化膜的平整化的所述上部部分上沉积用于形成栅极的多晶硅，以形成多晶硅层；以及

图案化所述多晶硅层、所述第二氧化层、所述氮化层和所述第一氧化层，从而形成凹槽型栅极。

6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在所述晶片上形成所述沟槽的步骤还包括以下步骤：

在所述晶片上形成用于所述沟槽的光刻抗蚀剂图案；

将形成的所述光刻抗蚀剂图案用作蚀刻掩模，将所述晶片的硅层蚀刻预定深度；以及

去除所述晶片上的所述光刻抗蚀剂图案。

7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，对所述晶片的硅层进行干式蚀刻，去除所述硅层预定深度，从而形成所述沟槽。

8.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，通过高温氧化，在所述氮化膜上沉积所述第二氧化膜后，通过化学机械研磨进行平整化。

9.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，图案化所述多晶硅层，以在所述沟槽的上部形成凹槽型栅极。