[发明专利]电子元件封装体及其制作方法

权利要求书

1.一种电子元件封装体的制作方法，其特征在于，包括：

提供一晶圆，包含多个晶粒区，以承载或形成多个晶片，该晶圆具有一第一表面及相对的一第二表面，其中该第一表面上或上方包括多个导电电极；

提供一光罩并实施一光刻制程以形成一图案化光致抗蚀剂层于该晶圆的第二表面上，该图案化光致抗蚀剂层包括多个开口，其中所述开口对应该光罩的图案，该图案包括一相对较宽的第一构图，该第一构图连结至少一个相对较窄的第二构图；

以该图案化光致抗蚀剂层为罩幕，对该晶圆进行蚀刻，形成多个孔洞以露出所述导电电极，其中所述孔洞具有非对称性的侧壁；及

移除该图案化光致抗蚀剂层。

2.根据权利要求1所述的电子元件封装体的制作方法，其特征在于，该第二构图自连结处向远端渐缩。

3.根据权利要求1所述的电子元件封装体的制作方法，其特征在于，所述孔洞穿过所述晶片的内部以作为导通孔。

4.根据权利要求3所述的电子元件封装体的制作方法，其特征在于，还包括：

形成一绝缘层以覆盖该晶圆的第二表面，并延伸至所述导通孔的侧壁和所述导电电极上；及

去除位于所述导通孔底部的该绝缘层，并暴露出所述导电电极的表面。

5.根据权利要求4所述的电子元件封装体的制作方法，其特征在于，所述导通孔包括一第一侧壁与一第二侧壁，其中至少该第二侧壁倾斜于该晶圆面。

6.根据权利要求5所述的电子元件封装体的制作方法，其特征在于，该第一侧壁相邻于一切割区且垂直于该晶圆面。

7.根据权利要求6所述的电子元件封装体的制作方法，其特征在于，该第一侧壁对应于该第一构图，该第二侧壁对应于该第二构图。

8.根据权利要求7所述的电子元件封装体的制作方法，其特征在于，还包括形成一导线层于该绝缘层上，该导线层自该晶圆的第二表面延伸至该导通孔的该第二侧壁及该导电电极的表面上。

9.一种电子元件封装体的制作方法，其特征在于，包括：

提供一晶圆，包含多个晶粒区，以承载或形成多个晶片，该晶圆具有一第一表面及相对的一第二表面，其中该第一表面上或上方包括多个导电电极，以电性连接所述晶片；

形成一封装层，以覆盖该晶圆的第一表面；

提供一光罩并实施一光刻制程以形成一图案化光致抗蚀剂层于该晶圆的第二表面上，该图案化光致抗蚀剂层包括多个开口，其中所述开口对应该光罩的图案，该图案包括一相对较宽的第一构图，该第一构图的一侧连结至少一渐缩的第二构图；

以该图案化光致抗蚀剂层为罩幕，对该晶圆的第二表面进行蚀刻，形成多个导通孔以露出所述导电电极，其中所述导通孔具有非对称性的侧壁；

移除该图案化光致抗蚀剂层；

形成一绝缘层以覆盖该晶圆的第二表面，并延伸至所述导通孔的侧壁和导电电极上；及

去除所述导通孔底部的绝缘层，并暴露出所述导电电极的表面。

10.根据权利要求9所述的电子元件封装体的制作方法，其特征在于，所述导电电极包括一导电接触垫或一重布线路层。

11.根据权利要求10所述的电子元件封装体的制作方法，其特征在于，所述导通孔包括一第一侧壁与一第二侧壁，该第一侧壁相邻于一切割区且垂直于该晶圆面，该第二侧壁倾斜于该晶圆面。

12.根据权利要求11所述的电子元件封装体的制作方法，其特征在于，该第一侧壁对应于该第一构图，该第二侧壁对应于该第二构图。

13.根据权利要求12所述的电子元件封装体的制作方法，其特征在于，还包括形成多个导线层于该绝缘层上，所述导线层自该第二表面延伸至所述导通孔的第二侧壁及所述导电电极的表面上。

14.根据权利要求13所述的电子元件封装体的制作方法，其特征在于，还包括：

形成一保护层以填入所述导通孔，并延伸至该晶圆的第二表面上；及

分割该晶圆以分离出多个封装晶片。