[发明专利]电路板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810108774.0 申请日: 2008-05-29
公开(公告)号: CN101282622A 公开(公告)日: 2008-10-08
发明(设计)人: 廖国成 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H05K3/46 分类号: H05K3/46;H05K1/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电路板 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电路板及其制造方法,更特别涉及一种具有内埋式导电线路的电路板及其制造方法。

背景技术

近年来由于电子元件已经变得多功能且体积越来越小,封装基板的技术也快速的发展,以便实现轻、薄、短、小以及高度密集的线路图案。特别地,如此轻、薄、短、小以及高度密集的线路图案是需要使用在芯片尺寸封装构造(chip scale package;CSP)的产品群上。为了能够在小尺寸的基板上形成密集的线路图案,一般系采用压合的方式在基板上形成内埋式的导电线路。

参考图1a至1g,现有在基板上形成内埋式导电线路的制造方法为先在一载板110上形成一铜层120,该铜层120上具有突起的结构122,该些突起结构122的图案与欲在基板上形成的导电线路的图案相对应(见图1a与1b)。接着将载板110与一软的基板,例如是B阶段(B stage)的BT(Bismaleimide Triazine)基板130压合,使得铜层120上的突起结构122埋入基板130的一表面132。基板130的另一表面134亦可根据需要与另一具有突起结构142的铜层140压合(见图1c)。再将载板110从铜层120、140上移除,并利用蚀刻的方式将铜层120、140薄化,使得基板130的表面132、134裸露出,此时原先在铜层120、140上的突起结构122、142仍保留在基板130的表面132、134并与基板表面132、134齐平。这些埋入在基板130的表面132、134上的突起结构122、142最后会形成基板130上的导电线路层(见图1d)。

接着,利用蚀刻或钻孔的方式在基板130上形成通孔150,并利用无电电镀的方式在基板130的表面132、134以及通孔150的内壁上形成一铜层160(见图1e)。再于基板表面132、134上形成一层干膜170以做为电镀的遮蔽层,以使得基板表面132、134上的导电线路层,亦即埋在基板表面132、134上的结构122、142被干膜170所覆盖,而通孔150则被裸露出。之后再于通孔150的内壁上电镀一层铜180(见图1f)。接着将干膜170以及以无电电镀的方式形成在基板表面132、134上的铜层160移除。最后在基板表面132、134上形成一防焊层190,并将欲做为接垫的结构122裸露出同时上一层有机保焊剂(organic solderability preservative;OSP),以用来与外界的电路,例如一芯片焊接(见图1g)。

然而,由于所形成的接垫122与基板130的表面132齐平且防焊层190一般均具有一个不小的厚度,当芯片通过锡球与接垫122电性连接时,锡球会仅有部分的高度露出防焊层190(未显示),这会使得芯片与基板130之间的间隙(Die Gap)过小,在封装时使得底胶(underfill)或封模黑胶(Moldingcompound)不易填满芯片与基板130之间的间隙,因此造成孔洞(void)的产生。

有鉴于此,便有需要提出一种具有内埋式导电线路的电路板的制造方法,以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有内埋式导电线路的电路板的制造方法,其中接垫的高度可通过电镀加以增加。

为达上述目的,本发明的具有内埋式导电线路的电路板的制造方法为先在一载板上形成一铜层,该铜层具有突起的结构,该些突起结构的图案与欲在基板上形成的导电线路的图案相对应。接着将载板与B阶段的BT基板压合,使得铜层上的突起结构埋入基板的一表面。再将载板从铜层上移除,并利用蚀刻的方式将铜层薄化,使得基板的表面裸露出,此时原先在铜层上的突起结构仍保留在基板的表面,并与基板表面齐平。

接着,在基板上形成通孔,并利用无电电镀的方式在基板的表面以及通孔的内壁上形成一铜层。再于基板表面上形成一层干膜,并使得作为接垫的部分突起结构以及通孔裸露出。之后再对基板进行电镀,使得通孔的内壁以及接垫上形成一层铜。接着将干膜以及以无电电镀的方式形成在基板表面上的铜层移除。最后在基板表面上形成一防焊层,并将已电镀上铜层的接垫裸露出。

本发明的另一目的在于提供一种以上述的方法所制造出的电路板。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810108774.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top